[发明专利]芯片及芯片散热装置在审

专利信息
申请号: 202111244112.8 申请日: 2021-10-25
公开(公告)号: CN113764368A 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 钱晓峰;杜树安;逯永广;樊强;杨晓君 申请(专利权)人: 海光信息技术股份有限公司
主分类号: H01L23/473 分类号: H01L23/473
代理公司: 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 代理人: 赵永刚
地址: 300384 天津市滨海新区华苑产*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 芯片 散热 装置
【权利要求书】:

1.一种芯片,其特征在于,包括:衬底和器件层;

所述器件层位于所述衬底的上方,所述器件层用于装载器件;

所述衬底的背面开设有储液沟道;

所述储液沟道用于装载散热介质,以对芯片进行降温。

2.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,储液沟道的深度与所述衬底的厚度的比例为0.25~0.5:1。

3.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,所述衬底的背面还开设有连通所述储液沟道的导通沟道。

4.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,所述储液沟道的形状为圆柱形、棱柱形和长方体形中的至少一种。

5.一种芯片散热装置,其特征在于,包括:散热盖和如权利要求1至4任一项所述的芯片;

所述散热盖的底面开设有储放槽,所述芯片位于所述储放槽内;

所述散热盖的表面开设有用于导入和导出散热介质的输送孔,所述输送孔与所述储液沟道连通。

6.根据权利要求5所述的芯片散热装置,其特征在于,所述储放槽的上表面开设有导通槽;

所述输送孔与所述导通槽连通,所述导通槽与所述储液沟道连通。

7.根据权利要求6所述的芯片散热装置,其特征在于,所述导通槽的深度为0.3~1毫米,所述散热盖的上表面到储放槽的上表面的距离为3~5毫米。

8.根据权利要求5所述的芯片散热装置,其特征在于,所述储放槽的上表面与所述衬底的背面相抵触。

9.根据权利要求5所述的芯片散热装置,其特征在于,所述散热盖的底部与所述芯片密封连接。

10.根据权利要求5所述的芯片散热装置,其特征在于,所述输送孔包括:进液孔和出液孔;

所述芯片散热装置还包括:输送管道;

所述输送管道分别与所述进液孔和出液孔连通;

与所述进液孔连通的输送管道用于向储液沟道导入散热介质;

与所述出液孔连通的输送管道用于将储液沟道的内的散热介质导出散热盖。

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