[发明专利]半导体电路

权利要求书

1.一种半导体电路，其特征在于，包括电路板和设于所述电路板上的高压集成电路，所述高压集成电路包括上桥驱动电路、上桥驱动输入端、上桥驱动输出端、下桥驱动电路、下桥驱动输入端和下桥驱动输出端，所述上桥驱动电路分别与所述上桥驱动输入端和所述上桥驱动输出端电连接，所述下桥驱动电路分别与所述下桥驱动输入端和所述下桥驱动输出端电连接，所述上桥驱动电路与所述下桥驱动电路之间电连接有互锁电路；

当所述上桥驱动电路输入端和所述下桥驱动电路输入端同为高电平时，所述互锁电路能够将至少一个高电平转换为低电平，以使得所述上桥驱动电路输出端和/或所述下桥驱动电路输出端输出低电平。

2.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，

所述互锁电路包括第一非门、第二非门、第一与非门、第三非门、第四非门、第二与非门和第三与非门，所述第一非门的输入端与所述上桥驱动输入端电连接，所述第一非门的输出端与所述第二非门的输入端电连接，所述第二非门的输出端与所述第二与非门的输入端连接；

所述第三非门的输入端与所述下桥驱动输入端电连接，所述第三非门的输出端与所述第四非门的输入端电连接，所述第四非门的输出端与所述第三与非门的输入端电连接；

所述第一与非门的输入端分别与所述上桥驱动输入端和下桥驱动输入端电连接，所述第一与非门的输出端分别与所述第二与非门与所述第三与非门的输入端电连接；

所述高压集成电路还包括与所述第二与非门的输出端电连接的第五非门和与所述第三与非门的输出端电连接的第六非门。

3.根据权利要求2所述的半导体电路，其特征在于，

所述高压集成电路还包括第七非门和第八非门，所述第七非门的输入端与所述第五非门的输出端电连接，所述第七非门的输出端与所述第八非门的输入端电连接，所述第八非门的输出端与所述上桥驱动输出端电连接；

所述高压集成电路还包括第九非门和第十非门，所述第九非门的输入端与所述第六非门的输出端电连接，所述第九非门的输出端与所述第十非门的输入端电连接，所述第十非门的输出端与所述下桥驱动输出端电连接。

4.根据权利要求2所述的半导体电路，其特征在于，所述高压集成电路还包括第一二极管，所述第一二极管的正极与所述上桥驱动输入端电连接，所述第一二极管的负极与第一电源电连接；所述高压集成电路还包括第二二极管，所述第二二极管的正极与所述下桥驱动输入端电连接，所述第二二极管的负极与第二电源电连接。

5.根据权利要求4所述的半导体电路，其特征在于，所述高压集成电路还包括第三二极管，所述第三二极管的正极接地，所述第三二极管的负极与所述上桥驱动输入端电连接；所述高压集成电路还包括第四二极管，所述第四二极管的正极接地，所述第四二极管的负极与所述下桥驱动输入端电连接。

6.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述上桥驱动电路还包括自举电路和欠压保护电路。

7.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述高压集成电路还包括过流保护电路，所述过流保护电路分别与所述上桥驱动电路和所述下桥驱动电路电连接。

8.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述高压集成电路还包括过压保护电路，所述过压保护电路分别与所述上桥驱动电路和所述下桥驱动电路电连接。

9.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述高压集成电路还包括过温保护电路，所述过温保护电路分别与所述上桥驱动电路和所述下桥驱动电路电连接。

10.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述高压集成电路还包括报错电路，所述报错电路分别与所述上桥驱动电路和所述下桥驱动电路电连接。