[发明专利]一种基于MEMS硅基加热片的雾化芯结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202111245466.4 | 申请日： | 2021-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN113940459A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 李文翔;王敏锐 | 申请（专利权）人： | 美满芯盛（杭州）微电子有限公司 |
| 主分类号： | A24F40/46 | 分类号： | A24F40/46;A24F40/10;A24F40/40;A24F40/42;A24F40/70 |
| 代理公司： | 苏州瑞光知识产权代理事务所(普通合伙) 32359 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 311231 浙江省杭州市萧山区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mems 加热 雾化 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种基于MEMS硅基加热片的雾化芯结构，其特征在于，包括：硅基加热片(1)和多孔陶瓷芯(2)，所述硅基加热片(1)包括加热丝(11)和硅基衬底(12)，所述加热丝(11)制作在所述硅基衬底(12)表面，所述硅基衬底(12)上设置有阵列排布的雾化微孔(121)，所述硅基衬底(12)固定安装在所述多孔陶瓷芯(2)上，所述雾化微孔(121)连通所述多孔陶瓷芯(2)。
2.根据权利要求1所述的一种基于MEMS硅基加热片的雾化芯结构，其特征在于，所述硅基衬底(12)的厚度为5-400微米。
3.根据权利要求1或2所述的一种基于MEMS硅基加热片的雾化芯结构，其特征在于，所述雾化微孔(121)的直径为2-20微米。
4.根据权利要求3所述的一种基于MEMS硅基加热片的雾化芯结构，其特征在于，所述雾化微孔(121)为圆孔或方孔。
5.一种基于MEMS硅基加热片的雾化芯结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、准备硅基衬底(12)；
S2、在所述硅基衬底(12)上沉积金属，并通过干法蚀刻或湿法腐蚀工艺做出特定图形，形成加热丝(11)；
S3、在所述硅基衬底(12)上蚀刻雾化微孔(121)；
S4、对所述硅基衬底(12)背面进行减薄，漏出正面所述雾化微孔(121)，形成硅基加热片(1)；
S5、将所述硅基加热片(1)和多孔陶瓷芯(2)贴合，形成雾化芯。
6.根据权利要求5所述的一种基于MEMS硅基加热片的雾化芯结构的制造方法，其特征在于，在所述步骤S2中，沉积的金属为Al、Ti/Au、Ti/Pt、Ti/TiN/Au、Ti/TiN/Pt、Ta/Au、Ta/Pt、Ta/TaN/Au、Ta/TaN/Pt中的任意一种。
7.根据权利要求5所述的一种基于MEMS硅基加热片的雾化芯结构的制造方法，其特征在于，在所述步骤S3中，采用干法蚀刻工艺或湿法腐蚀工艺进行所述雾化微孔(121)的蚀刻。
8.根据权利要求5所述的一种基于MEMS硅基加热片的雾化芯结构的制造方法，其特征在于，在所述步骤S5中，所述硅基加热片(1)和所述多孔陶瓷芯(2)直接贴合或者通过玻璃浆料粘结工艺、金属共晶工艺贴合。
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