[发明专利]硅片背面减薄镀膜工艺在审

申请号：	202111245894.7	申请日：	2021-10-26
公开（公告）号：	CN113964022A	公开（公告）日：	2022-01-21
发明（设计）人：	王刚;叶炜昊	申请（专利权）人：	浙江美迪凯光学半导体有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/683
代理公司：	杭州华知专利事务所(普通合伙) 33235	代理人：	张德宝
地址：	314400 浙江省嘉兴***	国省代码：	浙江;33
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摘要：
搜索关键词：	硅片背面镀膜工艺
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【说明书】：

本发明公开了一种硅片背面减薄镀膜工艺，其包括贴膜、减薄、超声波清洗、撕膜、绑定、镀膜。该硅片背面减薄镀膜工艺去除酸洗步骤，将酸洗改换成纯水超声波清洗，去除了酸洗后废液会对环境的污染，同时节约成本；镀膜前将硅片与相配的绑定基板后镀膜，消除减少酸洗步骤后增加的破片率，提升完成加工产品的合格率。

技术领域

本发明涉及硅片镀膜领域，尤其涉及一种硅片背面减薄镀膜工艺。

背景技术

现有硅片减薄镀膜工艺如附图1所示，由贴膜、减薄、酸洗、撕膜和镀膜五个步骤组成。但酸洗的废液会对环境污染，且残留的液体影响膜层牢固度。而使用酸洗最终目的是增加膜层牢固度以及消除减薄的暗病，从而减少破片的概率。但由于需要减薄后硅片厚度只有0.15mm，仍极易出现破片，而硅片正面的芯片已经制作完成，万一出现破片，成本会相当高。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明设计了一种硅片背面减薄镀膜工艺。

本发明采用如下技术方案：

一种硅片背面减薄镀膜工艺，其步骤为：

S1、贴膜：将正面已经完成制作的硅片取出，在硅片正面通过自动贴膜机贴上保护膜；

S2、减薄：将正面完成贴膜的硅片取出，通过320#粗磨轮粗磨加工，后通过8000#细磨轮细磨加工减薄到所需厚度；磨完后用纯水进行旋洗；

S3、超声波清洗：将S2步骤处理后的硅片取出，用纯水进行30分钟超声波清洗，洗完后使用90℃热风烘干5分钟；

S4、撕膜：使用专用撕膜机器，开启真空吸盘吸住硅片背面，把硅片加热到50℃后撕去保护膜；

S5、绑定：选取与硅片相配的绑定基板，在绑定基板表面贴上一层耐高温的保护膜，再把硅片正面朝下放置再绑定基板上，在硅片边缘处用高温胶带进行固定；

S6、镀膜：通过溅射镀膜在硅片背面依次镀上Ti、NIV、Ag三层膜层，膜层厚度比例为1：2：10，每层之镀膜完成后具有30-90s的冷却时间，镀膜完成后撕去固定的高温胶带，取下镀膜后的硅片完成整个硅片背面减薄镀膜工艺。

作为优选，所述保护膜为BG保护膜。

作为优选，所述高温胶带贴在硅片边缘的镀膜有效区外。