[发明专利]一种具有磁芯和电感线圈的集成结构及其制备方法在审
申请号: | 202111246677.X | 申请日: | 2021-10-26 |
公开(公告)号: | CN113990850A | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 陈天放 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/64 | 分类号: | H01L23/64;H01L49/02;H01F17/00;H01F17/04;H01F27/28;H01F27/29;H01F41/02;H01F41/04;H01F41/10 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 薛异荣 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 电感线圈 集成 结构 及其 制备 方法 | ||
一种具有磁芯和电感线圈的集成结构及其制备方法,其中具有磁芯和电感线圈的集成结构包括:塑封层;磁芯,磁芯被塑封层包覆;环绕磁芯的电感线圈,电感线圈包括:第一线圈布线层,位于部分塑封层一侧表面;第二线圈布线层,位于塑封层背向第一线圈布线层的一侧表面;贯穿塑封层且位于磁芯侧部的导电连接件,导电连接件的一端与第一线圈布线层连接,导电连接件的另一端与第二线圈布线层连接;第三布线层,第三布线层和第一线圈布线层位于塑封层的同侧,第三布线层位于第一线圈布线层的侧部且与第一线圈布线层连接;芯片,芯片被塑封层包覆且与第三重布线层电连接。所述具有磁芯和电感线圈的集成结构的集成度高。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种具有磁芯和电感线圈的集成结构及其制备方法。
背景技术
随着科学技术的进步以及社会信息化程度的提高,低造价、高性能的片上射频器件的需求也在不断地增加。为了满足低损耗、高集成度的要求,片上集成电感已成为压控振荡器、低噪声放大器、混频器以及滤波器等许多通信模块中的重要元件。而在现有技术中,电感需要额外的连接电路来与功能芯片连接,形成的产品集成度低。
因而,现有的封装结构及其制备方法仍有待改进。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中封装结构的集成度低的问题。
为了解决上述技术问题,本发明提供一种具有磁芯和电感线圈的集成结构,包括:塑封层;磁芯,所述磁芯被所述塑封层包覆;环绕所述磁芯的电感线圈,所述电感线圈包括:第一线圈布线层,位于部分所述塑封层一侧表面;第二线圈布线层,位于所述塑封层背向所述第一线圈布线层的一侧表面;贯穿所述塑封层且位于所述磁芯侧部的导电连接件,所述导电连接件的一端与所述第一线圈布线层连接,所述导电连接件的另一端与所述第二线圈布线层连接;第三布线层,所述第三布线层和所述第一线圈布线层位于所述塑封层的同侧,第三布线层位于所述第一线圈布线层的侧部且与第一线圈布线层连接;芯片,所述芯片被所述塑封层包覆且与所述第三布线层电连接。
可选的,所述第一线圈布线层包括若干分立的第一子布线条;所述第二线圈布线层包括若干分立的第二子布线条;所述导电连接件的数量为若干个,所述导电连接件的一端与所述第一子布线条连接,所述导电连接件的另一端与所述第二子布线条连接。
可选的,所述芯片具有若干芯片焊盘,所述芯片焊盘与所述第三布线层连接。
可选的,还包括:位于所述第三布线层背向所述塑封层一侧的第一焊球;部分芯片焊盘通过所述第三布线层与所述第一焊球电连接。
可选的,还包括:第二焊球,所述第二焊球位于所述第一线圈布线层背向所述塑封层一侧,所述第二焊球与所述第一线圈布线层电连接。
可选的,所述塑封层的介电常数为2.9-6.8。
本发明还提供一种具有磁芯和电感线圈的集成结构的制备方法,包括:形成第一线圈布线层,在形成所述第一线圈布线层的过程中形成第三布线层,所述第三布线层位于所述第一线圈布线层的侧部且与所述第一线圈布线层连接;在所述第一线圈布线层的一侧形成磁芯和导电连接件,所述导电连接件的一端与所述第一线圈布线层连接;在所述第三布线层的一侧形成芯片,所述芯片位于所述磁芯的侧部且与所述第三布线层电连接;在所述第一线圈布线层的一侧以及第三布线层的一侧形成覆盖所述导电连接件的侧部、以及磁芯和芯片的塑封层;在所述塑封层背向所述第一线圈布线层的一侧表面形成第二线圈布线层,所述导电连接件的另一端与所述第二线圈布线层连接;第一线圈布线层、第二线圈布线层和所述导电连接件构成环绕所述磁芯的电感线圈。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司,未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111246677.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。