[发明专利]一种基于手性金属薄膜的椭偏太赫兹波辐射源及激发方法

权利要求书

1.一种基于手性金属薄膜的椭偏太赫兹波辐射源，包括依次设置的泵浦光源(1)与偏振调节装置(2)，其特征在于，

所述椭偏太赫兹波辐射源还包含手性结构单元的金属薄膜(3)，所述泵浦光源(1)通过偏振调节装置(2)实现连续调节泵浦光源的偏振态，在不同偏振态的泵浦光源激发下，通过具有手性结构特征的金属薄膜(3)产生椭圆偏振的太赫兹波辐射。

2.如权利要求1所述的一种基于手性金属薄膜的椭偏太赫兹波辐射源，所述椭偏太赫兹波辐射源还包括基底(4)，所述包含手性结构单元的金属薄膜(3)铺设于所述基底(4)上，所述基底(4)材料为蓝宝石或石英，厚度为0.5mm～1.5mm，平面尺寸为1×1cm²～2×2cm²。

3.如权利要求1所述的一种基于手性金属薄膜的椭偏太赫兹波辐射源，其特征在于，所述金属薄膜的厚度为10nm～100nm；平面尺寸为0.8×0.8cm²～1.5×1.5cm²，手性结构单元的图样与其镜面对称的图样不重合，所述手性结构单元包括多个手性结构体，多个手性结构的呈阵列式排布，所述手性结构体的尺寸为10×10μm²～100×100μm²。

4.如权利要求3所述的一种基于手性金属薄膜的椭偏太赫兹波辐射源，其特征在于，所述手性结构体为“G”型开口螺旋，所述“G”型开口螺旋的臂宽为2μm～20μm。

5.如权利要求1所述的一种基于手性金属薄膜的椭偏太赫兹波辐射源，其特征在于，所述手性结构体由光刻工艺的微纳加工技术在金属薄膜上加工制得，所述光刻工艺的微纳加工技术包括紫外曝光、电子束曝光和纳米压印。

6.如权利要求1所述的一种基于手性金属薄膜的椭偏太赫兹波辐射源，其特征在于，所述偏振调节(2)装置包括半波片(201)与四分之一波片(202)，固定半波片(201)并旋转四分之一波片(202)，当经过半波片(201)后的泵浦光源偏振方向与四分之一波片的夹角为-45°、0°、45°时分别对应左旋圆偏振、线偏振与右旋圆偏振态。

7.如权利要求1所述的一种基于手性金属薄膜的椭偏太赫兹波辐射源，其特征在于，所述泵浦光源(1)的脉冲宽度为10fs～200fs；中心波长为400nm～1550nm；重复频率为1kHz～82MHz。

8.权利要求1至7任意一项权利要求所述的椭偏太赫兹波辐射源的激发方法，其特征在于，该方法包括如下步骤，

步骤一，使泵浦光源(1)照射偏振调节装置(2)，泵浦光源(1)穿过半波片(201)与四分之一波片(202)，转动四分之一波片(202)实现对泵浦光源在线偏振态与圆偏振态之间的连续调节；

步骤二，偏振态泵浦光源照射包含手性结构单元的金属薄膜(3)产生太赫兹波。