[发明专利]一种太阳能电池片及其镀膜方法和用途

权利要求书

1.一种太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片包括沿光照射方向依次设置的第二钝化层、缓冲层、第一钝化层和硅片；

所述缓冲层包括自第一钝化层的表面依次设置的第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层和第四缓冲层；

所述第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层的折射率依次递减。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述第二缓冲层的折射率比所述第一缓冲层的折射率低0.1-0.27；

优选地，所述第三缓冲层的折射率比所述第二缓冲层的折射率低0.01-0.14。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池片，其特征在于，所述第一钝化层包括氧化硅层；

优选地，所述第一钝化层的厚度为5-10nm；

优选地，所述第一钝化层的折射率为1.8-1.9；

优选地，所述第一缓冲层包括氮化硅层；

优选地，所述第一缓冲层的厚度为10-15nm；

优选地，所述第一缓冲层的折射率为2.25-2.35；

优选地，所述第二缓冲层包括氮化硅层；

优选地，所述第二缓冲层的厚度为20-30nm；

优选地，所述第二缓冲层的折射率为2.08-2.15；

优选地，所述第三缓冲层包括氮化硅层；

优选地，所述第三缓冲层的厚度为20-30nm；

优选地，所述第三缓冲层的折射率为2.01-2.07；

优选地，所述第四缓冲层包括氮氧化硅层；

优选地，所述第四缓冲层的厚度为5-10nm；

优选地，所述第四缓冲层的折射率低于所述第三缓冲层的折射率；

优选地，所述第四缓冲层的折射率比所述第三缓冲层的折射率低0.01-0.17；

优选地，所述第四缓冲层的折射率为1.9-2.0；

优选地，所述第二钝化层包括氧化硅层；

优选地，所述第二钝化层的厚度为5-10nm；

优选地，所述第二钝化层的折射率为1.7-1.8；

优选地，所述硅片的材质包括单晶硅；

优选地，所述硅片的厚度为165-190μm。

4.一种如权利要求1-3任一项所述太阳能电池片的镀膜方法，其特征在于，所述镀膜方法包括以下步骤：

(1)在硅片的表面进行第一钝化层沉积，得到含第一钝化层的硅片；

(2)在步骤(1)得到的所述含第一钝化层的硅片的第一钝化层表面进行缓冲层沉积，得到含缓冲层的硅片；

所述缓冲层沉积包括依次进行的第一缓冲层沉积、第二缓冲层沉积、第三缓冲层沉积和第四缓冲层沉积；

所述第一缓冲层沉积、第二缓冲层沉积和第三缓冲层沉积中氨气流量依次升高，硅烷流量依次降低；

(3)在步骤(2)得到的所述含缓冲层的硅片的缓冲层表面进行第二钝化层沉积，得到太阳能电池片。

5.根据权利要求4所述的镀膜方法，其特征在于，所述第二缓冲层沉积中氨气的流量比所述第一缓冲层沉积中氨气的流量高1000-3000sccm；

优选地，所述第二缓冲层沉积中硅烷的流量比所述第一缓冲层沉积中硅烷的流量低600-2100sccm；

优选地，所述第三缓冲层沉积中氨气的流量比所述第二缓冲层沉积中氨气的流量高1000-4000sccm；

优选地，所述第三缓冲层沉积中硅烷的流量比所述第二缓冲层沉积中硅烷的流量低200-800sccm。

6.根据权利要求4或5所述的镀膜方法，其特征在于，所述第一钝化层沉积在硅片的正面进行；

优选地，所述第一钝化层沉积的气氛包括硅烷和笑气；

优选地，所述第一钝化层沉积中硅烷的流量为500-1000sccm；

优选地，所述第一钝化层沉积中笑气的流量为2000-6000sccm。