[发明专利]NORD flash器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111247947.9 | 申请日： | 2021-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN114023746A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 王进峰;张超然;张剑;熊伟;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11517 | 分类号： | H01L27/11517;H01L27/11521;H01L27/11526 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | nord flash 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种NORD flash制造方法，其特征在于，包括：
步骤一、在半导体衬底上形成存储单元区域和逻辑区域，其中，所述存储单元区域中的字线和控制栅多晶硅层之间形成有侧墙，所述逻辑区域形成有栅极多晶硅层，依次沉积第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层；
步骤二、对所述逻辑区域进行干法刻蚀，在所述逻辑区域形成逻辑器件的栅极，所述逻辑区域和所述存储单元区域均保留所述第一刻蚀阻挡层；
步骤三、去除所述第一刻蚀阻挡层；
步骤四、保护逻辑区域的栅极，对所述存储单元区域进行干法刻蚀形成存储器件的浮栅和控制栅。
2.根据权利要求1所述的NORD flash制造方法，其特征在于，所述第一刻蚀阻挡层包括氮化硅层。
3.根据权利要求1或2所述的NORD flash制造方法，其特征在于，所述第二刻蚀阻挡层包括等离子体增强氧化物层。
4.根据权利要求1所述的NORD flash制造方法，其特征在于，利用磷酸湿法去除所述第一刻蚀阻挡层。
5.根据权利要求1所述的NORD flash制造方法，其特征在于，所述存储单元区域包括半导体衬底上形成的栅氧层，所述栅氧层上形成有字线，所述字线两侧的所述栅氧层上由下至上依次形成有浮栅多晶硅层、第一介质层和控制栅多晶硅层，所述逻辑区域的多晶硅层和半导体衬底之间形成有栅氧层。
6.根据权利要求5所述的NORD flash制造方法，其特征在于，所述第一介质层包括ONO，所述ONO从下至上依次包括二氧化硅层、氮化硅层和二氧化硅层。
7.根据权利要求1所述的NORD flash制造方法，其特征在于，对逻辑区域的栅极旋涂光刻胶，以所述侧墙为硬掩膜对所述存储单元区域进行干法刻蚀形成存储器件的浮栅和控制栅。
8.根据权利要求1所述的NORD flash制造方法，其特征在于，其能用于包括但不限于55nmNORD flash工艺。
9.一种NORD flash器件，其特征在于，其由权利要求1-8任意一项所述的NORD flash制造方法制造。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
