[发明专利]一种氮化铝声波谐振器的制备方法及谐振器

权利要求书

1.一种氮化铝声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

获取氮化铝单晶晶片；所述氮化铝单晶晶片的晶面为半极性面或非极性面；

对所述氮化铝单晶晶片进行离子注入，得到离子注入氮化铝单晶晶片；

获取支撑衬底；

将所述离子注入氮化铝单晶晶片与所述支撑衬底键合，得到异质键合结构；

对所述异质键合结构进行退火处理，以使所述离子注入氮化铝单晶晶片沿离子注入损伤面分裂，得到异质集成器件结构；所述异质集成器件结构包括支撑衬底和键合在所述支撑衬底上的氮化铝单晶薄膜；

在所述支撑衬底与所述氮化铝单晶薄膜之间形成超薄高导电层；所述超薄高导电层用于提供悬浮电势；所述在所述支撑衬底与所述氮化铝单晶薄膜之间形成超薄高导电层的方法为对所述异质集成器件结构进行高温后退火；

在所述氮化铝单晶薄膜上制作上电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述支撑衬底与所述氮化铝单晶薄膜之间形成超薄高导电层，包括：

对所述异质集成器件结构在预设温度下退火预设时长，以使所述支撑衬底与所述氮化铝单晶薄膜之间形成超薄高导电层。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述氮化铝单晶薄膜上制作上电极之后，还包括：

对所述支撑衬底进行背刻蚀或背腐蚀处理。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述支撑衬底为硅单晶晶片或绝缘体上硅晶片中的一种。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述将所述离子注入氮化铝单晶晶片与所述支撑衬底键合之前，还包括：

对所述支撑衬底进行浅表层离子注入，得到离子注入支撑衬底；

其中，注入离子包括硼离子、氮离子、磷离子、砷离子中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，将所述离子注入氮化铝单晶晶片与所述支撑衬底键合所采用的键合方法为亲水性直接键合、介质层间接键合、表面活化键合中的任意一种。

7.一种氮化铝声波谐振器，其特征在于，所述声波谐振器为通过权利要求1-6任一项所述的氮化铝声波谐振器的制备方法制备得到。