[发明专利]MT插芯及其制备方法在审
| 申请号： | 202111248238.2 | 申请日： | 2021-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN113985532A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 冀鸣;易洪波;苏文琪;庄晓科;刘伟基;赵刚 | 申请（专利权）人： | 中山市博顿光电科技有限公司;佛山市博顿光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/38 | 分类号： | G02B6/38 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 刘延喜 |
| 地址： | 528400 广东省中山市火*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mt 及其 制备 方法 | ||
1.一种MT插芯，其特征在于：
所述插芯的端面开设有若干个用于安装光纤的光纤孔，所述光纤孔包括对应于所述光纤纤芯的通光区；
所述插芯的端面在除通光区以外的区域布设有HR膜。
2.根据权利要求1所述的MT插芯，其特征在于，所述插芯的端面还布设有AR膜，所述AR膜布设于HR膜之上。
3.根据权利要求2所述MT插芯，其特征在于，所述AR膜镀制有m层膜层；所述HR膜镀制有n层膜层，其中所述m大于等于1，所述n大于等于1。
4.根据权利要求3所述的MT插芯，其特征在于，
所述HR膜的单层膜层的物理厚度为104.00-530.00nm；
所述AR膜的单层膜层的物理厚度为53.00-514.00nm。
5.根据权利要求4所述的MT插芯，其特征在于，
在1260～1650nm的激光波长范围内，所述AR膜的反射率R小于0.2％且透射率T大于99.5％；
在1260～1650nm的激光波长范围内，所述HR膜的反射率R大于90％。
6.一种如权利要求1-5中任一项所述MT插芯的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在所述插芯端面的光纤孔区域涂覆负性光刻胶；
对所述插芯进行烘烤；
采用光源对准所述通光区后，对所述插芯的端面进行曝光处理；
溶解所述插芯端面中的非通光区的光刻胶；
在所述插芯的端面镀制HR膜，以使所述插芯端面除通光区以外的区域均布设有所述HR膜。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，还包括：
清除镀制HR膜后所述通光区的光刻胶；
在所述插芯的端面镀制AR膜，以使所述插芯的端面在所述HR膜之上还布设有AR膜。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述采用光源对准所述通光区后，对所述插芯的端面进行曝光处理，包括：
采用掩膜部件控制所述光源的光斑处于所述插芯端面的通光区内。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述掩膜部件包括掩膜板和MT插芯中的至少一种。
10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，通过离子束辅助蒸发镀膜机进行薄膜沉积镀制HR膜和AR膜中的至少一种。
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