[发明专利]一种氮化铝/碳化硅复合声波谐振器的制备方法及谐振器

权利要求书

1.一氮化铝/碳化硅复合声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

获取支撑衬底；

在所述支撑衬底内形成牺牲层；

在所述牺牲层内制作下电极；

获取碳化硅单晶晶片；所述碳化硅单晶晶片为半绝缘碳化硅单晶晶片；

对所述碳化硅单晶晶片进行离子注入，得到离子注入碳化硅单晶晶片；

将所述离子注入碳化硅单晶晶片与所述支撑衬底进行键合，得到异质键合结构；

对所述异质键合结构进行退火处理，以使所述离子注入碳化硅单晶晶片沿离子注入损伤面分裂得到碳化硅单晶薄膜层；所述碳化硅单晶薄膜层设置在所述支撑衬底上；

对所述碳化硅单晶薄膜层减薄，以使所述碳化硅单晶薄膜层形成超薄碳化硅单晶薄膜层；

在所述超薄碳化硅单晶薄膜层上制作氮化铝薄膜，以使超薄碳化硅单晶薄膜层与所述氮化铝薄膜形成复合压电器件层；所述复合压电器件层中的超薄碳化硅单晶薄膜层用于支撑所述复合压电器件层中的氮化铝薄膜；

在所述复合压电器件层上制作上电极，所述上电极设置在所述氮化铝薄膜上。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述支撑衬底为硅、氧化硅、绝缘体上硅中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述碳化硅单晶晶片晶面为极性面、半极性面、非极性面中的任意一种。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，将所述离子注入碳化硅单晶晶片与所述支撑衬底进行键合所采用的键合方法包括亲水性直接键合、介质层间接键合、表面活化键合中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对所述碳化硅单晶薄膜层减薄所采用的方法包括化学机械抛光、离子束刻蚀、机械研磨、离子束研磨、高温氧化加湿法腐蚀中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述超薄碳化硅单晶薄膜层厚度为1nm-100nm。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成氮化铝薄膜所采用的方法包括化学气相沉积、物理气相沉积、真空蒸发镀膜、溅射、脉冲激光沉积、分子束外延、化学束外延、氢化物气相外延、物理气相传输中的任意一种。

8.一种氮化铝/碳化硅复合声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

获取支撑衬底和碳化硅单晶晶片；所述碳化硅单晶晶片为高导电碳化硅单晶晶片；

对所述碳化硅单晶晶片进行离子注入，得到离子注入碳化硅单晶晶片；

将所述离子注入碳化硅单晶晶片与所述支撑衬底进行键合，得到异质键合结构；

对所述异质键合结构进行退火处理，以使所述离子注入碳化硅单晶晶片沿离子注入损伤面分裂得到碳化硅单晶薄膜层；所述碳化硅单晶薄膜层设置在所述支撑衬底上；所述碳化硅单晶薄膜用于作为悬浮电势；

对所述碳化硅单晶薄膜层减薄，以使所述碳化硅单晶薄膜层形成超薄碳化硅单晶薄膜层；

在所述超薄碳化硅单晶薄膜层上制作氮化铝薄膜，以使超薄碳化硅单晶薄膜层与所述氮化铝薄膜形成复合压电器件层；所述复合压电器件层中的超薄碳化硅单晶薄膜层用于支撑所述复合压电器件层中的氮化铝薄膜；

在所述复合压电器件层上制作上电极，所述上电极设置在所述氮化铝薄膜上。

9.一种氮化铝/碳化硅复合声波谐振器，其特征在于，所述声波谐振器为通过权利要求1-7任一项所述的氮化铝/碳化硅复合声波谐振器的制备方法或权利要求8所述的氮化铝/碳化硅复合声波谐振器的制备方法制备得到。