[发明专利]发光二极管

说明书

本发明提供一种发光二极管，发光二极管包外延层、第一电极、第二电极以及绝缘层，外延层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一电极与第二电极位于外延层上，且分别电连接第一半导体层与第二半导体层，第一电极包括相互连接的第一起始部与第一延伸部，第二电极包括相互连接的第二起始部与第二延伸部，绝缘层位于外延层与电极之间，俯视来看，第一延伸部包括未与绝缘层重叠的第一部分以及与绝缘层重叠的多个第二部分，第一部分包括位于第一起始部和第二部分之间的第一子部分和其余的第二子部分，第一子部分的长度大于第二子部分的长度。借此，可保证在载流子集中区有充足接触面使载流子注入到外延层，避免EOS风险。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势，被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等场景。LED芯片分为正装结构、倒装结构和垂直结构三种。

目前的LED芯片在金属电极(pad)连接指状电极(finger)的地方容易聚集较高浓度的载流子，存在过度的电性应力(Electrical over Stress，EOS)风险，特别是金属电极连接指状电极的地方是EOS大电流容易烧毁的位置，最终导致LED芯片性能降低甚至损坏。

此外，目前的LED芯片在设计时，并未对绝缘介质层的长度、比例关系等进行改良，以电流阻挡层为例，对于N-GaN半导体侧的电流阻挡层的长度与相邻电流阻挡层之间的间距的关系没有进行合理规划设计，若是电流阻挡层的长度过大，将缩小N-GaN与金属电极的接触面积，致使电压过高，降低LED芯片性能；若是相邻电流阻挡层之间的间距过大，则缩小了电流阻挡层的面积，导致电流阻挡层与其上方的金属电极的反射叠层面积变小，LED芯片发光亮度降低。

发明内容

本发明提供一种发光二极管，其包括外延层、第一电极、第二电极以及绝缘层。

外延层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层。

第一电极位于所述外延层上，且电连接所述第一半导体层，所述第一电极包括第一起始部与第一延伸部，所述第一起始部连接所述第一延伸部。

第二电极位于所述外延层上，且电连接所述第二半导体层，所述第二电极包括第二起始部与第二延伸部，所述第二起始部连接所述第二延伸部，所述第一延伸部是自所述第一起始部朝向所述第二起始部的方向延伸，所述第二延伸部是自所述第二起始部朝向所述第一起始部的方向延伸。

绝缘层部分的所述绝缘层位于所述第一电极与所述第一半导体层之间，且部分的所述绝缘层位于所述第二电极与所述第二半导体层之间，所述第二起始部与所述第二延伸部的连接处的下方存在所述绝缘层。

其中，从所述发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述第一延伸部包括第一部分与多个第二部分，所述第一部分是指所述第一延伸部未与所述绝缘层重叠的部分，所述第二部分是指所述第一延伸部与所述绝缘层重叠的部分，所述第一部分包括第一子部分和多个第二子部分，所述第一子部分位于所述第一起始部和所述第二部分之间，所述多个第二子部分被所述多个第二部分间隔开，所述第一子部分具有第一长度，所述第二子部分具有第二长度，所述第一长度大于所述第二长度。

在一实施例中，第一长度大于等于第二长度的两倍。

在一实施例中，从发光二极管的上方朝向外延层俯视，第二部分具有第三长度，第二长度与第三长度之比介于1:1.5-1:5。

在一实施例中，从发光二极管的上方朝向外延层俯视，多个第二部分是间隔相同距离地沿着第一延伸部的延伸方向分布。各第二部分的长度可相同。