[发明专利]一种实时时钟芯片的测试系统及其方法在审

专利信息
申请号: 202111250455.5 申请日: 2021-10-26
公开(公告)号: CN114035024A 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 陈稳;陈定文 申请(专利权)人: 深圳市兴威帆电子技术有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28;G01R23/02
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 江耀纯
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 实时 时钟 芯片 测试 系统 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种实时时钟芯片的测试系统,其特征在于,包括电路测试板、频率计、高低温测试箱;所述电路测试板包括微控制器与时钟芯片测试位;所述微控制器用于读取待测时钟芯片内置温度传感器的温度值,并控制待测时钟芯片调整内置晶体负载电容值,控制待测时钟芯片输出频率信号,并读取高精度频率计的频率值,对每一片待测时钟芯片进行温度特性测量,并计算出晶体负载电容温度特性曲线的顶点温度值和对应待测时钟芯片在恒定频率值下晶体负载电容的温度特性曲线的补偿数据;所述时钟芯片测试位用于放置多片待测时钟芯片;所述频率计用于测量待测时钟芯片输出频率值;所述高低温测试箱用于提供不同温度的测试环境。

2.根据权利要求1所述的实时时钟芯片的测试系统,其特征在于,所述不同温度的测试环境包括晶体厂家标称顶点温度、-40℃、-20℃、65℃、85℃的温度测试环境。

3.根据权利要求1所述的实时时钟芯片的测试系统,其特征在于,所述微控制器还包括用于计算当前频率值的精度误差是否在预设的阀值内,如果在预设的阀值内,微控制器存储当前环境温度下待测时钟芯片内置温度传感器的温度值与内置晶体负载电容值。

4.根据权利要求1所述的实时时钟芯片的测试系统,其特征在于,所述频率计为高精度频率计。

5.根据权利要求1-4任一项所述的实时时钟芯片的测试系统,其特征在于,所述电路测试板还包括频率输出端口、电路测试板测试数据接口;所述频率输出端口用于连接频率计测试输入端口;所述电路测试板测试数据接口用于连接频率计的测试数据接口。

6.根据权利要求1-4任一项所述的实时时钟芯片的测试系统,其特征在于,所述频率计放置在高低温测试箱外侧,高低温测试箱内放置所述电路测试板,以及与电路测试板电连接的多片待测时钟芯片。

7.一种实时时钟芯片的测试方法,其特征在于,包括如下步骤:

S1、将多片待测时钟芯片放置于电路测试板的时钟芯片测试位,放入高低温测试箱中,将频率计放置在高低温测试箱旁边并与电路测试板连接;

S2、对高低温测试箱加温或降温并稳定在多个设定的待测温度环境内;

S3、在每一个待测温度环境内由电路测试板的微控制器读取待测时钟芯片内置温度传感器的温度值,设置待测时钟芯片内置晶体负载电容值;

S4、根据设置的晶体负载电容值控制待测时钟芯片输出频率信号,并传输至频率计,由频率计将测量出的频率值传输至电路测试板的微控制器;

S5、电路测试板的微控制器根据频率计将测量出的频率值计算当前频率值的精度误差是否在预设的阀值内,是则执行步骤S6,否则执行步骤S7;

S6、当前频率值的精度误差在预设的阀值内,微控制器存储当前环境温度下待测时钟芯片内置温度传感器的温度值与内置晶体负载电容值,多片待测时钟芯片测试未完成则返回执行步骤S3,反之测试完成;

S7、当前频率值的精度误差不在预设的阀值内,则由电路测试板的微控制器计算出一个产生更小精度误差的内置晶体负载电容值并设置当前测试时钟芯片,并返回执行步骤S4。

8.根据权利要求7所述的实时时钟芯片的测试方法,其特征在于,所述步骤S1的将频率计放置在高低温测试箱旁边并与电路测试板连接包括:将电路测试板的频率输出端口与频率计测试输入端口连接,电路测试板的测试数据接口与频率计的测试数据接口连接。

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