[发明专利]一种新型FET脉冲功率放大器在审
| 申请号： | 202111251563.4 | 申请日： | 2021-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN114244294A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 杨斐;雷国忠;马云柱;杨景超;王海涛 | 申请（专利权）人： | 西安电子工程研究所 |
| 主分类号： | H03F3/21 | 分类号： | H03F3/21;H03F1/42 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 刘新琼 |
| 地址： | 710100 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 fet 脉冲 功率放大器 | ||
【权利要求书】：
1.一种FET脉冲功率放大器，包括隔直电容、FET功率管、栅压偏置电路、漏压偏置电路；其特征在于：在输入端隔直流电容之前增加四分之一波长高阻到地偏置线，在输出端隔直流电容之后增加四分之一波长高阻到地偏置线；将栅压偏置电路和漏压偏置电路中低阻抗的四分之一波长偏置线，改为旁路电容。
2.根据权利要求1所述的一种FET脉冲功率放大器，其特征在于所述的栅压偏置电路包括C2、C3、C4、R1，其中C2是旁路电容，一端接地，另一端连接四分之一波长高阻线和电容C3，C3另一端连接电阻R1，R1另一端接地，C4为滤波电容，一端连接栅极电源和C2、C3、四分之一波长高阻线，另一端接地。
3.根据权利要求1所述的一种FET脉冲功率放大器，其特征在于所述的漏压偏置电路包括C5、C6、C8、R2，其中C8是旁路电容，一端接地，另一端连接四分之一波长高阻线和电容C5，C5另一端连接电阻R2，R2另一端接地，C6为滤波电容，一端连接栅极电源和C5、C8、四分之一波长高阻线，另一端接地。
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