[发明专利]一种消除中硼硅药用玻璃浮渣的方法及玻璃熔窑结构有效
| 申请号： | 202111251992.1 | 申请日： | 2021-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN113845291B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 田英良;赵志永 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C03B5/03 | 分类号： | C03B5/03;C03B5/235 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 林聪源 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 消除 中硼硅 药用 玻璃 浮渣 方法 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种消除中硼硅药用玻璃浮渣的方法，中硼硅药用玻璃的熔化在玻璃熔窑中实现，其特征在于，
所述玻璃熔窑所用能量由气态燃料和电能提供，电能提供熔化用能的60%-80%，气态燃料提供熔化用能的20%-40%；
在玻璃熔窑的预熔区、澄清区和冷却区底部布设电极；其中，在所述预熔区中垂直于玻璃液的流向且横向布设多排第一组电极；在所述澄清区中垂直于玻璃液的流向且横向布设多排第二组电极；在所述冷却区中沿玻璃液的流向且纵向布设一排第三组电极。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，气态燃料燃烧所用氧源为空气提供。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，气态燃料的燃烧用于维持玻璃液表面温度处于1580℃-1620℃。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一组电极、第二组电极和第三组电极材质为钼电极。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一组电极布设2排，共计12根，所述第一组电极的间距为400mm -600mm。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二组电极布设3排，共计18根，所述第二组电极的间距为400mm -600mm。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三组电极的间距为300mm -500mm。
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