[发明专利]一种输入耐高压的升降压电路在审

专利信息
申请号: 202111252058.1 申请日: 2021-10-27
公开(公告)号: CN115378244A 公开(公告)日: 2022-11-22
发明(设计)人: 班福奎 申请(专利权)人: 上海裕芯电子科技有限公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;马盼
地址: 201306 上海市浦东新区临*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 输入 高压 升降 压电
【权利要求书】:

1.一种输入耐高压的升降压电路,包括升降压控制芯片、储能电感、可充电电池及负载;其特征在于,所述的升降压控制芯片包括输入高压隔离模块、升降压控制模块、电源端口VIN、电感端口LX、充电端口BAT、输出端口VOUT及接地端GND;

其中,所述端口VIN接收电源的电压;所述储能电感连接在所述端口LX和所述端口BAT之间,所述可充电电池的正极接在所述端口BAT,所述可充电电池的负极连接地端GND,所述负载连接在所述VOUT端口和接地端GND之间;

所述升降压控制模块包括模式选择器,所述模式选择器用于根据所述电源端口VIN的输入电压进行电源路径的管理选择;当VIN≥V2时,在含有所述储能电感的回路中形成同步降压回路,对可充电电池进行开关型充电,同时也对所述负载提供电源能量;当V1≤VIN<V2时,所述同步降压回路不工作,所述电源端口VIN仅给所述负载提供电源能量;当VIN<V1时,在含有所述储能电感的回路中形成同步升压回路,对所述可充电电池进行放电,给所述负载提供电源能量;其中,V1小于V2,所述升降压控制模块及负载的工作电压为V3,V3大于V2;

当VIN≥V4或VIN<V1时,所述输入高压隔离模块,用于将所述电源端口VIN与所述升降压控制模块及所述输出端口VOUT隔离开;其中,V3<V4。

2.根据权利要求1所述的输入耐高压的升降压电路,其特征在于,所述的高压隔离模块包括NMOS隔离管、电源调整器及电荷泵;其中,所述NMOS隔离管的漏极连接到所述端口VIN,其源极连接到所述端口VOUT,其栅极连接到所述电荷泵的输出;所述电源调整器的输入连接到端口VIN,其输出作为电源供给所述电荷泵;所述电荷泵的输入连接到所述电源调整器的输出,其输出连接到NMOS隔离管的栅极。

3.根据权利要求1所述的输入耐高压的升降压电路,其特征在于,所述高压隔离模块包括电源调整器、栅极钳位齐纳二极管、PMOS隔离管、第一衬底切换二极管和第二衬底切换二极管;其中,所述PMOS隔离管的源极连接到端口VIN,其漏极连接到端口VOUT,其栅极连接到所述电源调整器的输出节点ENB;所述电源调整器的输入连接到端口VIN,其输出连接到输出节点ENB;所述栅极钳位齐纳二极管的阳极连接到输出节点ENB,其阴极连接到PMOS隔离管的源极;所述第一衬底切换二极管的阳极连接到端口VIN,其阴极连接到所述PMOS隔离管的衬底;所述第二衬底切换二极管的阳极连接到VOUT,其阴极连接到所述PMOS隔离管的衬底。

4.根据权利要求1所述的输入耐高压的升降压电路,其特征在于,所述的所述升降压控制模块包括PMOS管、NMOS管、模式选择器、衬底选择器和升降压控制器;其中,PMOS管的源极连接到VOUT,其漏极连接到LX,其栅极连接到升降压控制器的VPG输出端;NMOS管的源极连接到地,其漏极连接到LX,其栅极连接到升降压控制器的VNG输出端;模式选择器的输入连端连接到VIN,其输出端连接到升降压控制器的输入端VMOD;衬底选择器的两个输入端分别为VOUT及BAT,输出端为VSUB连接到升降压控制器的输入端;升降压控制器的4个输入分别为VOUT、VMOD、VSUB及BAT,两个输出分别为VPG及VNG。

5.根据权利要求1所述的输入耐高压的升降压电路,其特征在于,所述的V1为4.5伏,V2为4.7伏,V3为5伏和V4为6.5伏。

6.根据权利要求1所述的输入耐高压的升降压电路,其特征在于,还包括输入电容,所述的第一电容连接在所述端口VIN和接地端GND之间。

7.根据权利要求1所述的输入耐高压的升降压电路,其特征在于,还包括电池旁路电容,所述的电池旁路连接在所述可充电电池和接地端GND之间。

8.根据权利要求1所述的输入耐高压的升降压电路,其特征在于,还包括输出电容,所述的输出电容连接在所述负载的两端。

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