[发明专利]参考电压瞬态增强SAR ADC电路

权利要求书

1.一种参考电压瞬态增强SAR ADC电路，其特征在于，所述参考电压瞬态增强SAR ADC电路至少包括：第一采样开关、第二采样开关、第一数模转换单元、第二数模转换单元、第一增强单元、第二增强单元、参考电路、比较器及SAR控制逻辑单元，其中：

所述第一采样开关用于接收差分信号的正端输入；

所述第二采样开关用于接收差分信号的负端输入；

所述第一数模转换单元的连接于所述第一采样开关，用于数模转换；

所述第二数模转换单元的连接于所述第二采样开关，用于数模转换；

所述比较器的第一输入端连接于所述第一数模转换单元的输出端，第二输入端连接于所述第二数模转换单元的输出端，用于对所述第一数模转换单元及所述第二数模转换单元的输出信号进行比较，并输出比较结果；

所述SAR控制逻辑单元的输入端连接于所述比较器的输出端，基于所述比较结果输出数字信号并产生所述第一数模转换单元及所述第二数模转换单元的参考电压切换信号；

所述第一增强单元及所述第二增强单元连接所述SAR控制逻辑单元的输出端，基于所述参考电压切换信号产生增强控制信号；

所述参考电路连接所述第一增强单元及所述第二增强单元的输出端，基于所述增强控制信号对所述参考电压进行瞬态增强，从而降低所述参考电路的电流消耗。

2.根据权利要求1所述的参考电压瞬态增强SAR ADC电路，其特征在于：所述第一增强单元与所述第二增强单元均包括：第一增强反相器及第一增强电容；所述第一增强反相器接收所述SAR控制逻辑单元的最高位的参考电压切换信号；所述第一增强电容连接于所述第一增强反相器和所述参考电路之间。

3.根据权利要求2所述的参考电压瞬态增强SAR ADC电路，其特征在于：所述第一增强单元与所述第二增强单元还包括：第二增强反相器及第二增强电容；所述第二增强反相器接收所述SAR控制逻辑单元的第二高位的参考电压切换信号；所述第二增强电容连接于所述第二增强反相器和所述参考电路之间。

4.根据权利要求2或3所述的参考电压瞬态增强SAR ADC电路，其特征在于：所述增强反相器为互补金属氧化物半导体结构。

5.根据权利要求2或3所述的参考电压瞬态增强SAR ADC电路，其特征在于：所述增强电容为耦合电容。

6.根据权利要求1所述的参考电压瞬态增强SAR ADC电路，其特征在于：所述SAR控制逻辑单元采用单调开关算法进行所述参考电压切换信号操作。

7.根据权利要求1所述的参考电压瞬态增强SAR ADC电路，其特征在于：所述第一数模转换单元与所述第二数模转换单元均包括n个权重位电容、尾部电容及n个权重位反相器；各所述权重位电容的上极板连接于对应采样开关与所述比较器输入端之间；各所述权重位反相器接收所述SAR控制逻辑单元的对应所述参考电压切换信号，并将参考电压传递给各所述权重位电容的下极板；所述尾部电容的上极板连接于对应采样开关与所述比较器输入端之间，下极板连接参考地，其中，n为大于2的自然数。

8.根据权利要求7所述的参考电压瞬态增强SAR ADC电路，其特征在于：所述权重位电容的权重从高到低以2为等比系数依次递减。

9.根据权利要求7所述的参考电压瞬态增强SAR ADC电路，其特征在于：所述权重位反相器为互补金属氧化物半导体结构，包括：P型场效应管和N型场效应管；所述P型场效应管的栅极接收所述参考电压切换信号，漏极接正相参考电压，源极接所述权重位电容的下极板；所述N型场效应管的栅极接所述P型场效应管的栅极，漏极接所述P型场效应管的源极，源极接负相参考电压。