[发明专利]一种双MRAM的MCU及缓存数据的方法

说明书

本申请公开了一种双MRAM式存储器的MCU及缓存数据的方法，涉及一种双MRAM式存储器MCU领域。本申请第一方面提出了一种双MRAM式缓存MCU，所述MCU包括：处理器、AHB、存储器、APB、AHB转APB桥，所述处理器通过AHB与存储器相连，所述AHB通过AHB转APB桥与外设总线相连，所述存储器包括2个MRAM，其中1个MRAM用作备份。本申请第二方面提出了一种缓存方法，包括：针对MCU不同工作模式制定不同存储规则，并在需求部分数据存储的环境下，建立优先级决策规则。通过对在系统总线接入双MRAM作为存储器MCU结构，并结合所述缓存方法，实现对缓存空间的有效管理，提升了MCU系统的稳定性。

技术领域

本发明实施例涉及磁存储领域，涉及一种双MRAM的MCU及缓存数据的方法。

背景技术

微控制单元(MCU，Micro Controller Unit)又称单片微型计算机，是将中央处理器(CPU，Central Process Unit)的频率与规格做适当缩减，并将内存、计数器、通用串行总线(USB，Universal Serial Bus)、A/D转换、异步收发传输器(UART，UniversalAsynchronous Receiver Transmitter)、可编程逻辑控制器(PLC，Programmable LogicController)以及直接存储器访问(DMA，Direct Memory Access)等周边接口，甚至液晶显示器(LCD，Liquid Crystal Display)驱动电路计算机运行涉及的器件及接口全部集成在单一芯片上，形成的芯片级的计算机。由于MCU体积相对较小，目前MCU被广泛应用在AI、云计算、5G以及智能汽车等领域。

随着AI、云计算、5G以及智能汽车等领域迅速发展，各个领域需要处理的数据种类越来越多，基于此，会导致MCU的存储器会出现空指针读写、内存泄漏、堆栈溢出、参数错误等问题。由于常规的MCU所用的存储器为SRAM(Static Random-Access Memory)，而SRAM是易失性存储器，因此当这些问题导致MCU运行死机的场景下，SRAM中的数据会丢失，从而不利于相关技术人员进行排查解决。

发明内容

本发明实施例提供一种双MRAM的MCU及缓存数据的方法，以解决常规MCU存储器是易失性存储器产生的问题。

为了解决上述问题，本发明的第一方面提出了一种缓存数据的方法，应用于双MRAM式MCU，所述MCU包括：所述MCU包括第一存储器3A以及第二存储器3B，所述方法包括：

将所述MCU运行过程中产生的信息存储到所述第一存储器3A；

检测所述MCU的运行模式，所述MCU的运行模式包括非用户模式和用户模式；

当所述MCU的运行模式是所述非用户模式时，将所述第一存储器3A中的全部信息存储到所述第二存储器3B；

当所述MCU处于用户模式时，将所述第一存储器3A中与所述用户模式匹配的信息存储到所述第二存储器3B。

在一些实施例中，所述与用户匹配模式匹配的信息，包括：

所述MCU运行故障对应的运行日志。

在一些实施例中，所述缓存数据的方法还包括：

确定所述第一存储器中各类信息的优先级，其中每类信息对应一种类型的业务；

根据所述各类信息的优先级确定与所述用户模式匹配的信息。

在一些实施例中，所述各类信息中的每类信息包括相应业务对应的运行事件，所述确定所述第一存储器中各类信息的优先级，包括：

所述MCU获取所述第一存储器的至少一个存储区域的访问时刻以及访问次数，并建立在每个访问时刻下各存储区域与相应访问次数的对应关系，得到至少一个运行事件；