[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，其基底的背面具有交替分布的发射极区域和背表面场区域；

所述发射极区域形成有发射极，所述发射极的材质为掺硼单晶硅；

所述背表面场区域形成有背表面场；所述背表面场包括层叠分布的隧穿氧化层和多晶硅层，所述多晶硅层的材质为掺磷多晶硅，所述隧穿氧化层位于所述多晶硅层和所述多晶硅层之间；

所述太阳能电池的正电极与所述发射极电性连接，所述太阳能电池的负电极于所述背表面场电性连接。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述发射极区域和所述背表面场区域沿第一预设方向并排分布；

在所述第一预设方向上，每个所述背表面场区域的尺寸为100～300μm，相邻两个所述背表面场区域的间距为600～1500μm。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，在所述第一预设方向上，所述正电极的尺寸为50～200μm，所述负电极的尺寸为40～100μm；

可选地，所述正电极与开设于所述发射极的发射极接触孔内壁电性连接，所述负电极与开设于所述背表面场的背表面场接触孔内壁电性连接；所述发射极接触孔和所述背表面场接触孔的直径均为25～50μm；

可选地，在所述第一预设方向上，每个所述发射极上相邻两个所述发射极接触孔的中心间距为20～80μm，每个所述背表面上相邻两个所述背表面场接触孔的中心间距为20～80μm；

可选地，每个所述发射极区域和所述背表面场区域均沿第二预设方向延伸，所述第二预设方向与所述第一预设方向垂直；在所述第二预设方向上，每个所述发射极上相邻两个所述发射极接触孔的中心间距为50～100μm，每个所述背表面上相邻两个所述背表面场接触孔的中心间距为20～80μm。

4.根据权利要求1～3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化层为二氧化硅薄膜，且厚度为1～5nm；可选地，所述隧穿氧化层的厚度为1～3nm；

和/或，所述多晶硅层的厚度为100～500nm。

5.根据权利要求1～3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：

氮化硅减反层，形成于所述基底的正面的减反绒面的表面；

氧化铝钝化层，形成于所述发射极和背表面场的表面；以及

氮化硅钝化层，形成于所述氧化铝钝化层的表面；

所述正电极贯穿所述氮化硅钝化层和所述氧化铝钝化层后与所述发射极电性连接，所述负电极贯穿所述氮化硅钝化层和所述氧化铝钝化层后与所述发射极电性连接；

可选地，所述氮化硅减反层的厚度为80～120nm；

可选地，所述氧化铝钝化层的厚度为3～20nm；

可选地，所述氮化硅钝化层的厚度为75～150nm。

6.根据权利要求1～3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，还包括间隔分布的正极汇流条和负极汇流条；

所述正极汇流条与每个所述正电极均电性连接，所述负极汇流条与每个所述负电极均电性连接；所述正极汇流条与所述负电极之间以及所述负极汇流条与所述正电极之间均间隔有绝缘胶。