[发明专利]芯片封装结构及制备方法

权利要求书

1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：第一散热结构、第一电极、第二电极、第三电极、第四电极，其中：

所述第一散热结构，设置在芯片的背面；

所述第一电极，其上表面与所述芯片的第一引出端耦接，其下表面与所述第三电极的上表面耦接；

所述第二电极，其上表面与所述芯片的第二引出端耦接，其下表面与所述第四电极的上表面耦接；

所述第三电极与所述第四电极的下表面均与PCB板连接。

2.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述连接结构连接所述第一散热结构与所述第一电极，且与所述芯片无接触。

3.如权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一散热结构，其第一端延伸出所述芯片的背面，其第二端设置在所述芯片的背面；所述第一散热结构的第一端为与所述连接结构连接的一端，所述第一散热结构的第二端为所述第一散热结构水平方向上的另一端。

4.如权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一散热结构的第二端延伸出所述芯片的背面。

5.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一电极的第一端位于所述芯片的范围之内，所述第一电极的第二端延伸出所述芯片的范围之外；所述第二电极的第一端位于所述芯片的范围之内，所述第二电极的第二端延伸出所述芯片的范围之外。

6.如权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第三电极的第二端延伸出所述第一电极的范围之外，所述第三电极的第一端位于所述第一电极的范围之内；所述第四电极的第二端延伸出所述第二电极的范围之外，所述第四电极的第一端位于所述第二电极的范围之内。

7.如权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第三电极的第一端与所述第四电极的第一端之间的距离，大于所述第一电极的第一端与所述第二电极的第一端之间的距离。

8.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：第二散热结构；所述第二散热结构的下表面与所述第一散热结构的上表面接触，所述第二散热结构的上表面延伸至露出所述芯片封装结构表面。

9.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述连接结构包括以下任一种：锡球、铜柱。

10.一种芯片封装结构的制备方法，用于制备如权利要求1～9任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，包括：

提供散热结构；所述散热结构包括第一散热结构；

放置芯片，并进行模压；所述第一散热结构放置在所述芯片的背面，模压材料的填充高度与所述芯片的第一引出端、第二引出端的下表面平齐；

分别设置第一电极、第二电极、第三电极以及第四电极；

对其他空余处进行填充。

11.一种芯片封装结构的制备方法，用于制备如权利要求1～9任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，包括：

提供基板并进行模压，所述基板包括第一电极、第二电极、第三电极以及第四电极；

放置芯片；所述芯片的正面朝向所述基板；模压材料的填充高度与所述第一电极和所述第二电极的上表面平齐；

设置散热结构；所述散热结构包括第一散热结构；

对其他空余处进行填充。

12.一种芯片封装结构的制备方法，用于制备如权利要求1～9任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板包括第一电极、第二电极、第三电极以及第四电极；

放置芯片；所述芯片的正面朝向所述基板；

设置散热结构；所述散热结构包括第一散热结构；

对其他空余处进行填充。