[发明专利]埋嵌封装结构及其制作方法在审
申请号: | 202111258705.X | 申请日: | 2021-10-27 |
公开(公告)号: | CN114093770A | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 陈先明;洪业杰;黄本霞;黄高 | 申请(专利权)人: | 珠海越亚半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60;H01L21/52;H01L23/13;H01L23/498 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 俞梁清 |
地址: | 519175 广东省珠海*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种埋嵌封装结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供承载板,所述承载板上设置有第一金属种子层;
在所述第一金属种子层上加工得到基板,所述基板包括第一线路层、第一金属柱和第一绝缘层,所述第一线路层和所述第一金属柱均位于所述第一绝缘层内,所述第一金属柱还位于所述第一线路层上;
去除所述承载板,得到所述基板,并在所述基板上加工得到贯穿所述基板的第一空腔和第二空腔;
在所述第一空腔内装设第一元器件,在所述第二空腔内装设连接软板,并利用感光型绝缘材料在所述基板的第二侧加工得到第二绝缘层,以固定所述第一元器件和所述连接软板;
在所述基板的第一侧加工得到第二线路层,并在所述第二线路层上装设第二元器件,以使所述第一金属柱和所述第一元器件通过所述第二线路层分别与所述第二元器件建立电性连接关系;
通过所述连接软板弯折所述基板,使所述基板的第一侧形成小于180度的夹角,并利用封装材料对所述基板的第一侧进行封装处理,得到封装层。
2.根据权利要求1所述的埋嵌封装结构的制作方法,其特征在于,所述在所述第一金属种子层上加工得到基板,包括以下步骤:
在所述第一金属种子层上加工得到第一线路层,所述第一线路层包括第一导通线路、第一牺牲线路和第二牺牲线路;
在所述第一线路层上加工得到第一金属柱,所述第一金属柱包括位于所述第一导通线路上的第一导通金属柱、位于所述第一牺牲线路上的第一牺牲金属柱和位于所述第二牺牲线路上的第二牺牲金属柱;
利用绝缘材料在所述第一线路层的缝隙和所述第一金属柱的缝隙之间加工得到第一绝缘层,并得到所述基板。
3.根据权利要求2所述的埋嵌封装结构的制作方法,其特征在于,所述利用绝缘材料在所述第一线路层的缝隙和所述第一金属柱的缝隙之间加工得到第一绝缘层,并得到所述基板,包括以下步骤:
在所述第一金属种子层上施加绝缘材料,以使所述绝缘材料覆盖所述第一金属柱和所述第一线路层,得到绝缘基层;
对所述绝缘基层加工,并使第一金属柱的端部从所述绝缘基层中露出,以得到所述第一绝缘层,并得到所述基板。
4.根据权利要求2所述的埋嵌封装结构的制作方法,其特征在于,所述在所述基板上加工得到贯穿所述基板的第一空腔和第二空腔,包括以下步骤:
去除所述第一牺牲线路和所述第一牺牲金属柱,形成贯穿所述基板的所述第一空腔;
去除所述第二牺牲线路和所述第二牺牲金属柱,形成贯穿所述基板的所述第二空腔。
5.根据权利要求1所述的埋嵌封装结构的制作方法,其特征在于,所述承载板上依次设置有第一金属层、第二金属层和蚀刻阻挡层,所述第一金属种子层位于所述蚀刻阻挡层上,所述去除承载板,得到基板,包括以下步骤:
将所述第一金属层从所述第二金属层上拆分,并通过蚀刻依次将所述第二金属层、所述蚀刻阻挡层和所述第一金属种子层去除,以去除所述承载板并得到所述基板。
6.根据权利要求1所述的埋嵌封装结构的制作方法,其特征在于,所述在所述第一空腔内装设第一元器件,在所述第二空腔内装设连接软板,包括以下步骤:
在所述基板的第一侧上安装临时承载层,所述基板的第一侧与所述基板的第二侧相对,且所述第一线路层位于所述基板的第二侧;
在所述临时承载层上预装所述第一元器件和所述连接软板,所述第一元器件位于所述第一空腔中,所述连接软板位于所述第二空腔中。
7.根据权利要求6所述的埋嵌封装结构的制作方法,其特征在于,所述利用感光型绝缘材料在所述基板的第二侧加工得到第二绝缘层后,还包括步骤:
去除所述临时承载层。
8.根据权利要求1所述的埋嵌封装结构的制作方法,其特征在于,所述在所述基板的第一侧加工得到第二线路层,包括以下步骤:
在所述基板的第一侧加工得到第二金属种子层;
在所述第二金属种子层上加工得到所述第二线路层。
9.一种埋嵌封装结构,其特征在于,由权利要求1至8中任一项所述的埋嵌封装结构的制作方法制备得到。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海越亚半导体股份有限公司,未经珠海越亚半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111258705.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造