[发明专利]一种半导体激光器的制作方法

权利要求书

1.一种半导体激光器的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底层；

在所述半导体衬底层上形成有源层；

在部分所述有源层背向所述半导体衬底层的一侧形成第一波导；

在所述有源层的表面、以及第一波导的顶部表面和侧壁表面形成钝化膜；

在所述钝化膜的表面涂覆光刻胶层，所述光刻胶层的表面高于所述第一波导的顶部表面的钝化膜；

采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述光刻胶层，直至所述光刻胶层的表面暴露出第一波导的顶部表面的钝化膜；

进行所述湿法刻蚀工艺之后，采用干法等离子体打氧工艺刻蚀部分所述光刻胶层；

进行所述干法等离子体打氧工艺之后，以所述光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一波导的顶部表面的钝化膜。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器的制作方法，其特征在于，还包括：以所述光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一波导的顶部表面的钝化膜之后，去除所述光刻胶层。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器的制作方法，其特征在于，还包括：去除所述光刻胶层之后，在所述第一波导的顶部表面形成第一电极层。

4.根据权利要求3所述的半导体激光器的制作方法，其特征在于，所述第一电极层还位于所述钝化膜的表面。

5.根据权利要求3所述的半导体激光器的制作方法，其特征在于，还包括：对所述第一电极层进行退火处理。

6.根据权利要求2所述的半导体激光器的制作方法，其特征在于，还包括：去除所述光刻胶层之后，在所述半导体衬底层的背面形成第二电极层。

7.根据权利要求6所述的半导体激光器的制作方法，其特征在于，还包括：形成所述第二电极层之前，对所述半导体衬底层的背面进行减薄；对所述半导体衬底层的背面进行减薄之后，对所述半导体衬底层的背面抛光。

8.根据权利要求1所述的半导体激光器的制作方法，其特征在于，所述干法等离子体打氧工艺采用干法等离子体打氧机，所述干法等离子体打氧机的腔体内部设置有水平放置的夹具，所述夹具适于水平承载半导体衬底层。

9.根据权利要求8所述的半导体激光器的制作方法，其特征在于，所述夹具包括金属夹具。

10.根据权利要求8所述的半导体激光器的制作方法，其特征在于，所述夹具包括：底板，所述底板适于水平承载半导体衬底层；位于所述底板的下表面的脚垫；位于所述底板的上表面周围且与所述底板固定的侧板，所述底板中具有贯穿底板的若干开口。

11.根据权利要求10所述的半导体激光器的制作方法，其特征在于，所述侧板的高度为0.5mm－1mm。

12.根据权利要求10所述的半导体激光器的制作方法，其特征在于，所述开口为方形或者圆形，方形边长为0.3cm－1cm，圆形直径为0.3cm－1cm，若开口为方形，开口的中心间距为方形边长的1.1倍－2倍，若开口为圆形，开口的中心间距为圆形直径的1.1倍－2倍。

13.根据权利要求1所述的半导体激光器的制作方法，其特征在于，所述干法等离子体打氧工艺的参数包括：氧气流量为50sccm－500sccm，射频功率为100W－900W，打氧时间为120s－600s。

14.根据权利要求1所述的半导体激光器的制作方法，其特征在于，在所述钝化膜的表面涂覆光刻胶层的步骤中，所述光刻胶层的厚度为第一波导的高度的2倍－3倍。

15.根据权利要求1所述的半导体激光器的制作方法，其特征在于，进行所述湿法刻蚀工艺后且在进行所述干法等离子体打氧工艺之前，所述光刻胶层的上表面低于第一波导的顶部表面。