[发明专利]一种针对基准电压的修调电路及修调方法

权利要求书

1.一种针对基准电压的修调电路，所述修调电路连接基准电压电路的V_EB节点；其特征在于，所述修调电路包括正温度系数电流修调电路和负温度系数电流修调电路；每个温度系数电流修调电路均包括修调电流源、电流镜支路、修调使能单元、修调正负控制单元、修调比例控制单元；所述电流镜支路用于复制所述修调电流源的输出结果；所述修调使能单元用于控制修调启动，所述修调正负控制单元用于控制基准电压的正负修调，所述修调比例控制单元用于控制基准电压的修调比例以及修调步径，并输出结果；其中，正温度系数修调电流源与负温度系数修调电流源的输出电流大小不相等，温度系数电流修调电路中各个单元由熔丝信号分别进行控制；

所述基准电压电路包括第一偏置电流源Ibias1、第二偏置电流源Ibias2以及第一PNP管B1和第二PNP管B2；第一偏置电流源Ibias1和第二偏置电流源Ibias2的电流流入节点均连接电源VDD，第一偏置电流源Ibias1的电流流出节点连接B1管的发射极和B2管的基极，B1管的基极和集电极短接后与B2管的集电极连接到GND，B2管的发射极连接第二偏置电流源Ibias2的电流流出节点即V_EB节点；

所述电流镜支路包括第一NMOS管和第二NMOS管，第一NMOS管栅极连接电流源VDD，第一NMOS管漏极和第二NMOS管栅极相连后连接所述修调电流源，第一NMOS管源极连接第二NMOS管漏极，第二NMOS管源极接地；

所述修调比例控制单元包括M个控制单元端和N个并联的调节单元端；每个所述控制单元端包括第三NMOS管和第四NMOS管，第三NMOS管栅极连接熔丝信号，第三NMOS管漏极和第四NMOS管栅极相连后连接所述修调电流源，第三NMOS管源极连接第四NMOS管漏极，第四NMOS管源极接地；每个所述调节单元端均包括第五NMOS管和第六NMOS管，第五NMOS管的源极连接第六NMOS管的漏极，第五NMOS管的漏极连接修调使能单元，第五NMOS管的栅极连接熔丝信号，第六NMOS管的源极接地，第六NMOS管的栅极连接第四NMOS管栅极，且M≥1，N≥1；

所述修调使能单元包括五个PMOS管，第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管的源极都连接电流源VDD，第一PMOS管的漏极连接第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管的栅极，且连接第五PMOS管的漏极和所述修调比例控制单元；第三PMOS管和第四PMOS管的漏极连接所述修调正负控制单元；第五PMOS管的源极连接第二PMOS管的漏极；其中，第一PMOS管的栅极连接熔丝信号反信号，第五PMOS管栅极连接熔丝信号正信号；

所述修调正负控制单元包括两个PMOS管和四个NMOS管，第六PMOS管的源极连接第三PMOS管的漏极，第七PMOS管的源极连接第四PMOS管的漏极；第六PMOS管的漏极连接第七NMOS管的漏极以及第九NMOS管和第十NMOS管的栅极，第七NMOS管的源极连接第九NMOS管的漏极；第七PMOS管的漏极连接第八NMOS管的漏极，第八NMOS管的源极连接第十NMOS管的漏极；第九NMOS管和第十NMOS管的源极接地；其中，第六PMOS管的栅极连接熔丝信号正信号，第七PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管的栅极连接熔丝信号反信号；或者，第六PMOS管的栅极连接熔丝信号反信号，第七PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管的栅极连接熔丝信号正信号。

2.一种针对基准电压的修调方法，所述修调方法应用于如权利要求1所述的一种针对基准电压的修调电路；其特征在于，所述修调方法包括：

控制输入修调使能单元使能的熔丝信号，使得正温度系数电流修调电路和负温度系数电流修调电路使能；

控制输入修调正负控制单元的熔丝信号，通过调节温度调节系数，从正温度系数电流修调电路中得到V_EB节点电压的正修调结果，从负温度系数电流修调电路中得到V_EB节点电压的负修调结果；

控制输入修调比例控制单元的熔丝信号，得到对应比例的修调结果。