[发明专利]硅片含铜量的测定方法

权利要求书

1.一种硅片含铜量的测定方法，其特征在于，包括以下步骤：

将待测硅片与陪片进行键合，得到键合硅片；

将所述键合硅片在预设温度热处理预设时长，所述预设温度为400℃-600℃，所述预设时长大于1h；

在所述键合硅片冷却后，将所述键合硅片从键合处分开；

测量所述待测硅片的分离面的含铜量值；

根据所述待测硅片的分离面的含铜量值确定所述待测硅片的含铜量。

2.根据权利要求1所述的硅片含铜量的测定方法，其特征在于，所述将待测硅片与陪片进行键合，得到键合硅片，包括：

利用键合机将所述待测硅片与所述陪片对准；

在利用键合机将所述待测硅片和所述陪片对准前，保证所述待测硅片和所述陪片的晶向不一致。

3.根据权利要求2所述的硅片含铜量的测定方法，其特征在于，所述陪片和所述待测硅片取材于同一晶棒，在所述晶棒的长度方向上，所述陪片邻近所述待测硅片。

4.根据权利要求1所述的硅片含铜量的测定方法，其特征在于，将所述键合硅片加热到预设温度的速率为0.1℃/s～50℃/s。

5.根据权利要求1所述的硅片含铜量的测定方法，其特征在于，在所述键合硅片的冷却过程中，降温速率小于5℃/min。

6.根据权利要求1所述的硅片含铜量的测定方法，其特征在于，所述键合硅片与所述陪片在氧气、氮气或氩气氛围下热处理。

7.根据权利要求1所述的硅片含铜量的测定方法，其特征在于，在所述键合硅片冷却后，利用分片机撬动所述键合硅片以使得所述待测硅片和所述陪片在键合处分离。

8.根据权利要求1所述的硅片含铜量的测定方法，其特征在于，所述测量所述待测硅片的分离面的含铜量值，包括：

使用气相分解仪扫描所述待测硅片的分离面；

使用等离子体质谱仪定量测试所述气相分解仪搜集的溶液。

9.根据权利要求8所述的硅片含铜量的测定方法，其特征在于，根据以下公式生成所述待测硅片的分离面的含铜量值：

其中，N为铜原子表面密度，W为样品溶液中铜元素的浓度，V为样品溶液的体积，M为目标元素的原子量，N_A为阿伏伽德罗常数，S为所述待测硅片的分离面的测量面积。

10.根据权利要求9所述的硅片含铜量的测定方法，其特征在于，根据以下公式生成所述待测硅片内的含铜量：

N_bulkCu＝N/(t/2)，其中，t为所述待测硅片的厚度。