[发明专利]一种阵列基板及显示面板

说明书

本发明涉及一种阵列基板及显示面板。本发明将第一公共线和第一分享线分别设置于扫描线的两侧，由此避免现有技术中的第一分享线纵穿所述主像素区和次像素区，进而提升阵列基板的开口率和穿透率。将第一公共线、第一分享线以及扫描线同层设置，由此进一步提升阵列基板的穿透率。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术

目前，垂直配向型(英文全称：Vertical Alignment，简称VA)液晶显示面板在不同视角下，液晶分子双折射率的差异较大，色偏较严重。高垂直配向型(英文全称：HighVertical Alignment，简称HVA)液晶显示面板需设计多畴显示以改善色偏。基于电学原理，将像素单元分为液晶分子转动角度不同的主像素(英文全称：main pixel)区和次像素(英文全称：sub pixel)区，结合物理结构上的4畴(domain)，可以实现8domain显示。

目前的8domain显示是通过一个主像素薄膜晶体管控制主像素电极，通过次像素薄膜晶体管和分享薄膜晶体管共同控制次像素电极，实现主像素电极和次像素电极的不同电位，这种设计可单独控制次像素电极偏压，实现低色偏(英文全称：Low color shift)和残像优化。

如图1、图2所示，目前的分享薄膜晶体管的分享电极线100’(英文全称：sharebar)纵穿主像素区及次像素区的中间，由此会减小像素单元的透光面积，降低像素单元的开口率；目前的分享薄膜晶体管的公共线200’为第一层金属走线，分享电极线100’为第二层金属走线，分享电极线100’覆盖于公共线200’上方，由此会降低像素单元的穿透率。

发明内容

本发明的目的是提供一种阵列基板及显示面板，其能够解决现有技术中存在的像素单元开口率低下及穿透率低下等问题。

为了解决上述问题，本发明提供了一种阵列基板，其包括基板及阵列排布于所述基板上的多个像素单元；每一所述像素单元均分为主像素区和次像素区；每一所述像素单元均包括：数据线，设置于相邻所述像素单元之间；扫描线，与所述数据线交错设置于所述基板上，且位于所述主像素区和所述次像素区之间；第一公共线，设置于所述扫描线靠近所述主像素区的一侧的所述基板上，且平行于所述扫描线；以及第一分享线，设置于所述扫描线靠近所述次像素区的一侧的所述基板上，且平行于所述扫描线。

进一步的，所述第一公共线、所述第一分享线以及所述扫描线同层设置。

进一步的，每一所述像素单元均还包括：主像素电极，设置于所述主像素区内，所述主像素电极包括平行于所述数据线的第一主干电极；次像素电极，设置于所述次像素区内，所述次像素电极包括平行于所述数据线的第二主干电极；主像素薄膜晶体管，其栅极电连接至所述扫描线，其源极电连接至所述数据线，其漏极电连接至所述主像素电极；次像素薄膜晶体管，其栅极电连接至所述扫描线，其源极电连接至所述数据线，其漏极电连接至所述次像素电极；以及分享薄膜晶体管，其栅极电连接至所述扫描线，其源极电连接至所述次像素薄膜晶体管的漏极，其漏极电连接至所述第一分享线。

进一步的，每一所述像素单元均还包括：第二公共线，平行于所述数据线，其一端电连接至所述第一公共线，另一端沿着所述数据线的延伸方向由一所述像素单元的主像素区延伸至相邻的所述像素单元的次像素区。

进一步的，所述第二公共线包括相互间隔设置的第一子公共线、第二子公共线以及第三子公共线；在所述主像素区内，所述第一子公共线设置于所述主像素电极与所述数据线之间，所述第二子公共线设置于所述主像素电极远离所述数据线的一侧，所述第三子公共线与所述第一主干电极对应设置；在所述次像素区内，所述第一子公共线设置于所述次像素电极与所述数据线之间，所述第二子公共线设置于所述次像素电极远离所述数据线的一侧，所述第三子公共线与所述第二主干电极对应设置。