[发明专利]一种应用于STT-MRAM的写验证电路

权利要求书

1.一种应用于STT-MRAM的写验证电路，其特征在于，所述电路包括：写操作完成检测电路和写自终止电路；所述写操作完成检测电路用于判断写操作是否完成，并产生检测反馈信号COP；所述写自终止电路根据所述检测反馈信号COP产生写操作信号和终止写操作信号。

2.根据权利要求1所述的写验证电路，其特征在于，所述写操作完成检测电路包括：电流镜、参考电阻、比较器和缓冲器；

所述电流镜用于将流过STT-MRAM的写电流进行复制，并产生复制写电流；所述复制写电流通过参考电阻转换成复制写电压；所述复制写电压与参考电压通过所述比较器和所述缓冲器产生所述检测反馈信号COP；

所述写自终止电路通过对使能信号和所述检测反馈信号COP的计算产生驱动使能信号，所述驱动使能信号控制写驱动电路对STT-MRAM进行不同的写操作。

3.根据权利要求2所述的写验证电路，其特征在于，所述写验证电路的写操作验证过程包括：

写操作完成时，STT-MTJ状态发生翻转，阻值发生变化，流经STT-MRAM的写电流改变；

通过电流镜产生的复制写电流发生变化，从而输入比较器的复制写电压发生变化；

所述复制写电压通过比较器、缓冲器生成新的检测反馈信号COP；

所述自终止电路根据所述检测反馈信号COP的电平、所述使能信号计算生成终止写操作信号，写驱动电路关闭，写操作结束。

4.根据权利要求1-3任一所述的写验证电路，其特征在于，所述写操作完成检测电路还包括路径控制模块，所述写操作完成检测电路通过所述路径控制模块为不同的写操作提供不同的操作路径。

5.根据权利要求4所述的写验证电路，其特征在于，所述路径控制模块包括第一开关管M_W1、第二开关管M_W2、第三开关管M_W3、第四开关管M_W4、第五开关管M_W5、第六开关管M_W6；所述写操作完成检测电路通过控制开关管的开闭为不同的写操作提供不同的操作路径；

当STT-MRAM写“0”时，第一开关管M_W1、第三开关管M_W3、第五开关管M_W5导通,第二开关管M_W2、第四开关管M_W4、第六开关管M_W6关闭，所述参考写电压接所述比较器的正向输入端，所述参考电压V_REF接所述比较器的负向输入端；

当STT-MRAM写“1”时，第一开关管M_W1、第三开关管M_W3、第五开关管M_W5关闭,第二开关管M_W2、第四开关管M_W4、第六开关管M_W6导通，所述参考写电压接所述比较器的负向输入端，所述参考电压V_REF接所述比较器的正向输入端。