[发明专利]具有隔离吸收器的多模光波导结构

权利要求书

1.一种结构，包括：

波导结构，其包括锥形段；以及

至少一个隔离波导吸收器，其沿所述波导结构的长度邻近所述波导结构。

2.根据权利要求1所述的结构，还包括位于所述波导结构的输出端处的多晶硅材料，其中所述多晶硅材料的边界位于所述波导结构的边界内。

3.根据权利要求2所述的结构，其中所述波导结构的半导体材料包括凹槽，并且所述多晶硅材料位于所述凹槽内。

4.根据权利要求2所述的结构，其中所述波导结构包括Si材料，并且所述至少一个隔离波导吸收器包括Si材料和Ge材料。

5.根据权利要求4所述的结构，其中所述Ge材料凹陷到所述至少一个隔离波导吸收器的所述Si材料中。

6.根据权利要求2所述的结构，还包括绝缘体材料，所述绝缘体材料将所述多晶硅材料与所述波导结构的半导体材料分隔开。

7.根据权利要求1所述的结构，其中所述至少一个隔离波导吸收器包括沿所述波导结构的长度的多个波导吸收器。

8.根据权利要求7所述的结构，其中所述多个波导吸收器中的每一个包括锥形输入端。

9.根据权利要求8所述的结构，其中所述多个波导吸收器中的每一个的所述锥形输入端相对于所述波导结构的所述锥形段偏移。

10.根据权利要求1所述的结构，其中所述至少一个隔离波导吸收器包括沿所述波导结构的长度的单个连续的波导吸收器，并且所述单个连续的波导吸收器包括Si材料和Ge材料。

11.根据权利要求1所述的结构，其中所述波导结构包括在与所述至少一个隔离波导吸收器不同的层级上的SiN材料。

12.根据权利要求1所述的结构，其中所述波导结构和所述至少一个隔离波导吸收器被包覆在氧化物中。

13.根据权利要求1所述的结构，其中所述至少一个隔离波导吸收器包括位于所述波导结构的上方和下方中的至少一者的多个波导吸收器。

14.一种结构，包括：

波导结构，其包括半导体材料并具有沿其长度的至少一个锥形部分；以及

至少一个波导吸收器，其包括半导体材料的组合，所述至少一个波导吸收器沿所述波导结构的长度定位。

15.根据权利要求14所述的结构，其中所述至少一个波导吸收器包括多个波导吸收器，所述多个波导吸收器中的每一个包括相对于所述波导结构的所述至少一个锥形部分偏移的锥形输入端。

16.根据权利要求14所述的结构，其中所述至少一个波导吸收器包括基本平行于所述波导结构的轮廓延伸的单个连续的波导吸收器。

17.根据权利要求16所述的结构，其中所述单个连续的波导吸收器包括锥形输入端并且包括两种不同的半导体材料。

18.根据权利要求14所述的结构，其中所述波导结构包括SiN材料，所述至少一个波导吸收器包括Si材料和Ge材料，并且所述波导结构位于与所述至少一个波导吸收器不同的层级上。

19.根据权利要求14所述的结构，还包括位于输出端处且在所述波导结构的所述半导体材料的边界内的多晶硅材料。

20.一种方法，包括：

形成包括锥形段的波导结构；以及

形成沿所述波导结构的长度邻近所述波导结构的至少一个隔离波导吸收器。