[发明专利]光电转换设备、光电转换系统和移动体在审
申请号: | 202111265262.7 | 申请日: | 2021-10-28 |
公开(公告)号: | CN114429961A | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 大贯裕介;岩田旬史;松野靖司;池田一 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人: | 魏启学 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 设备 系统 移动 | ||
1.一种光电转换设备,包括:
第一基板,其具有第一半导体器件层,所述第一半导体器件层包括多个光电转换单元和布置所述多个光电转换单元的阱;以及
第二基板,其具有第二半导体器件层,所述第二半导体器件层包括被配置为对所述多个光电转换单元所获得的信号进行处理的电路,
其中,所述第一基板和所述第二基板层压在一起,
其中,所述第一半导体器件层包括有效像素区域、光学黑像素区域和外周区域,所述有效像素区域具有所述多个光电转换单元,所述光学黑像素区域设置在所述有效像素区域和所述第一半导体器件层的端之间并且具有所述多个光电转换单元,所述外周区域布置在所述光学黑像素区域和所述第一半导体器件层的端之间,
其中,在平面图中,由遮光层形成的遮光区域与所述光学黑像素区域重叠,并且所述遮光区域没有与所述外周区域重叠,
其中,所述外周区域具有电荷排出区域,所述电荷排出区域包括与信号电荷相同的导电类型的半导体区域,以及
其中,向所述电荷排出区域供给固定电位。
2.根据权利要求1所述的光电转换设备,其中,所述外周区域的导电类型是N型,并且向所述电荷排出区域施加正电位。
3.根据权利要求1所述的光电转换设备,其中,所述外周区域的导电类型是P型,并且向所述电荷排出区域施加地电位。
4.根据权利要求1所述的光电转换设备,其中,在平面图中,所述遮光区域与所述阱以及所述外周区域的一部分重叠。
5.根据权利要求4所述的光电转换设备,其中,在平面图中,所述阱没有从所述遮光区域暴露。
6.根据权利要求1所述的光电转换设备,
其中,在所述外周区域中布置有被配置为在所述光电转换设备和外部之间进行导电的垫部,以及
其中,所述电荷排出区域布置在所述垫部和所述阱之间。
7.根据权利要求6所述的光电转换设备,其中,在所述电荷排出区域和所述垫部之间布置有被布置成贯通所述第一半导体器件层的隔离部。
8.根据权利要求7所述的光电转换设备,其中,所述隔离部是嵌入有绝缘材料的区域。
9.根据权利要求6所述的光电转换设备,其中,所述垫部的中心与所述遮光层之间的距离大于或等于30μm且小于或等于200μm。
10.根据权利要求6所述的光电转换设备,
其中,各个所述光电转换单元是雪崩光电二极管,以及
其中,所述阱和所述电荷排出区域之间的距离大于或等于1μm。
11.根据权利要求6所述的光电转换设备,
其中,各个所述光电转换单元是雪崩光电二极管,以及
其中,所述阱和所述电荷排出区域之间的距离是不会发生雪崩倍增的距离。
12.根据权利要求10所述的光电转换设备,其中,所述垫部连接至所述第一基板中所布置的布线层。
13.根据权利要求6所述的光电转换设备,其中,在所述第一半导体器件层中,在所述垫部和所述阱之间没有布置电路元件。
14.一种光电转换系统,包括:
根据权利要求1至13中任一项所述的光电转换设备;以及
信号处理单元,其被配置为对从所述光电转换设备输出的信号进行处理。
15.一种移动体,包括:
根据权利要求1至13中任一项所述的光电转换设备;
距离信息获取单元,其被配置为基于来自所述光电转换设备的信号来获取与相对于对象物体的距离有关的距离信息;以及
控制单元,其被配置为基于所述距离信息来控制所述移动体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的