[发明专利]光电转换设备、光电转换系统和可移动体

权利要求书

1.一种光电转换设备，包括：

半导体层；以及

多个雪崩光电二极管，其被配置在所述半导体层上并且包括第一雪崩光电二极管和第二雪崩光电二极管；

其中，所述多个雪崩光电二极管中的各雪崩光电二极管包括雪崩倍增单元，所述雪崩倍增单元由与信号电荷相同导电型的载流子被视为多数载流子的第一导电型的第一半导体区域、以及与所述第一导电型不同的第二导电型的第二半导体区域形成，其中，所述第一半导体区域配置在第一深度处，所述第二半导体区域配置在比所述第一深度深的第二深度处，

其中，在所述第一雪崩光电二极管和所述第二雪崩光电二极管之间配置所述第二导电型的第三半导体区域，

其中，在所述第一雪崩光电二极管和所述第二雪崩光电二极管之间，在比所述第三半导体区域浅的位置处配置第四半导体区域，所述第四半导体区域的导电型和杂质浓度至少之一与所述第三半导体区域不同，以及

其中，所述第三半导体区域和所述第四半导体区域之间的边界部的深度比所述雪崩倍增单元深。

2.根据权利要求1所述的光电转换设备，还包括具有沟槽结构的隔离区域，所述沟槽结构配置在所述第一雪崩光电二极管和所述第二雪崩光电二极管之间，

其中，所述第三半导体区域和所述第四半导体区域被配置在所述隔离区域的侧壁部。

3.根据权利要求1所述的光电转换设备，其中，所述第三半导体区域和所述第四半导体区域之间的边界部的深度比所述第二半导体区域的深度浅。

4.根据权利要求1所述的光电转换设备，

其中，所述第四半导体区域是所述第二导电型的半导体区域，以及

其中，所述第四半导体区域的第二导电型的杂质浓度比所述第三半导体区域的第二导电型的杂质浓度低。

5.根据权利要求1所述的光电转换设备，其中，所述第四半导体区域是所述第一导电型的半导体区域。

6.根据权利要求1所述的光电转换设备，其中，所述第四半导体区域的宽度比所述第三半导体区域的宽度窄。

7.根据权利要求2所述的光电转换设备，其中，所述隔离区域从所述半导体层的光入射面至与所述光入射面相对的面贯通所述半导体层。

8.根据权利要求2所述的光电转换设备，

其中，所述半导体层具有光入射面和与所述光入射面相对的面，以及

其中，所述隔离区域从与所述光入射面相对的面形成。

9.根据权利要求2所述的光电转换设备，

其中，所述半导体层具有光入射面和与所述光入射面相对的面，以及

其中，所述隔离区域从所述光入射面形成。

10.根据权利要求2所述的光电转换设备，

其中，所述多个雪崩光电二极管包括第三雪崩光电二极管，

其中，所述第一雪崩光电二极管和所述第三雪崩光电二极管在第一方向上相邻地配置，

其中，所述第三雪崩光电二极管和所述第二雪崩光电二极管在与所述第一方向正交的第二方向上相邻地配置，以及

其中，所述第三雪崩光电二极管的第一半导体区域和所述第二雪崩光电二极管的第一半导体区域之间的距离比所述第一雪崩光电二极管的第一半导体区域和所述第三雪崩光电二极管的第一半导体区域之间的距离长。

11.根据权利要求10所述的光电转换设备，其中，在所述第一方向上的所述第一雪崩光电二极管和所述第三雪崩光电二极管之间，配置所述第二导电型的半导体区域、并且不配置所述隔离区域。

12.根据权利要求10所述的光电转换设备，其中，在所述第一方向上的所述第一雪崩光电二极管和所述第三雪崩光电二极管之间，配置所述隔离区域。