[发明专利]波导模式激励结构、方法及其应用

权利要求书

1.一种波导模式激励结构，包括：

第一金属层、介质层和第二金属层，其中，贯穿介质层形成有过孔；

其中，第一金属层包括平面传输线、短路末端，其中，所述短路末端形成于所述平面传输线的第一侧，所述平面传输线的第二侧与所述平面传输线的第一侧相对应，位于所述第一金属层的边缘；

介质层位于所述第一金属层上侧；

第二金属层位于所述介质层上侧，包括耦合窗口，所述耦合窗口的内侧边缘靠近所述短路末端；

其中，所述耦合窗口内部包括U形膜片和紧耦合枝节阵列，所述U形膜片的开口侧朝向所述平面传输线，所述紧耦合枝节阵列位于所述U形膜片的开口侧，所述紧耦合枝节阵列与所述U形膜片不接触；

其中，所述紧耦合枝节阵列包括多个紧耦合枝节，所述紧耦合枝节的长边方向以相同的距离错开；以及

所述多个紧耦合枝节的个数大于等于3，且所述紧耦合枝节阵列关于所述平面传输线左右对称；

短路过孔，所述短路过孔贯穿所述介质层，与所述U形膜片的未开口侧接触，且位于所述平面传输线的中心轴延长线上，所述短路过孔为金属化过孔。

2.根据权利要求1所述的波导模式激励结构，其中，所述U形膜片与所述耦合窗口整体贴合，且关于所述平面传输线左右对称。

3.根据权利要求1所述的波导模式激励结构，还包括波导，其中，所述耦合窗口的尺寸与所述波导的尺寸相同，所述波导与所述耦合窗口垂直端接。

4.一种波导模式激励结构的制备方法，包括：

在介质层的两侧分别形成第一金属层和第二金属层，其中，贯穿介质层形成有过孔；

在所述第一金属层上形成平面传输线，以及位于所述平面传输线的第一侧的短路末端，其中，所述短路末端形成于所述平面传输线的第一侧，所述平面传输线的第二侧与所述平面传输线的第一侧相对应，位于所述第一金属层的边缘；

在所述第二金属层上形成耦合窗口，以使所述耦合窗口的内侧边缘靠近所述短路末端；

在所述耦合窗口内形成U形膜片和紧耦合枝节阵列，以使所述U形膜片的开口侧朝向所述平面传输线，所述紧耦合枝节阵列位于所述U形膜片的开口侧，所述紧耦合枝节阵列与所述U形膜片不接触；

其中，在所述耦合窗口内形成所述紧耦合枝节阵列，包括：

形成多个紧耦合枝节，所述多个紧耦合枝节沿着所述紧耦合枝节的长边方向以相同的距离错开；以及

形成的所述多个紧耦合枝节个数大于等于3，且所述紧耦合枝节阵列关于所述平面传输线左右对称；

贯穿所述介质层形成有短路过孔，以使所述短路过孔与所述U形膜片的未开口侧接触，且位于所述平面传输线的中心轴延长线上；以及对所述短路过孔进行金属化，形成金属化短路过孔。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其中，在所述耦合窗口内形成所述U形膜片，以使所述U形膜片与所述耦合窗口整体贴合，且关于所述平面传输线左右对称。

6.一种波导模式激励器件，包括采用如权利要求1-3中任一项所述的波导模式激励结构的集成器件。