[发明专利]在编程操作暂停期间的编程操作执行在审
申请号: | 202111266228.1 | 申请日: | 2021-10-28 |
公开(公告)号: | CN114429777A | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | U·西奇利亚尼 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/04;G06F3/06 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 编程 操作 暂停 期间 执行 | ||
1.一种存储器装置,其包括:
存储器阵列;及
控制逻辑,其与所述存储器阵列可操作地耦合以执行包括以下的操作:
从请求方接收对所述存储器阵列执行第一存储器存取操作的第一请求;
起始对所述存储器阵列的所述第一存储器存取操作;
在完成所述第一存储器存取操作之前,从所述请求方接收暂停执行所述第一存储器存取操作的第二请求;
使所述存储器装置进入暂停状态,其中所述第一存储器存取操作在所述暂停状态期间暂停;
从所述请求方接收在所述存储器装置处于所述暂停状态时对所述存储器阵列执行动态单层级单元SLC编程操作的第三请求;以及
起始对所述存储器阵列的所述动态SLC编程操作。
2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述请求方包括存储器子系统的存储器子系统控制器,所述存储器子系统包括所述存储器装置。
3.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述第一存储器存取操作包括多层级单元MLC编程操作。
4.根据权利要求3所述的存储器装置,其中所述动态SLC编程操作具有比所述MLC编程操作短的编程时间。
5.根据权利要求3所述的存储器装置,其中使用所述存储器装置的不同微调设置且相对于具有比与所述MLC编程操作相关联的数据低的优先级的数据,执行所述动态SLC编程操作。
6.根据权利要求1所述的存储器装置,其进一步包括:
页高速缓存器,其与所述存储器阵列及所述控制逻辑可操作地耦合,其中当所述存储器装置处于所述暂停状态时,所述控制逻辑将与所述第一存储器存取操作相关联的进展信息存储在所述页高速缓存器中。
7.根据权利要求6所述的存储器装置,其中所述控制逻辑用于执行进一步包括以下项的操作:
确定所述动态SLC编程操作完成;
向所述请求方提供指示所述动态SLC编程操作完成的通知;
从所述请求方接收恢复对所述存储器阵列的所述第一存储器存取操作的第四请求;
使所述存储器装置退出所述暂停状态;及
使用来自所述页高速缓存器的所述进展信息来恢复对所述存储器阵列的所述第一存储器存取操作。
8.一种方法,其包括:
从请求方接收对存储器装置执行第一存储器存取操作的第一请求;
起始对所述存储器装置的所述第一存储器存取操作;
在完成所述第一存储器存取操作之前,从所述请求方接收暂停执行所述第一存储器存取操作的第二请求;
使所述存储器装置进入暂停状态,其中所述第一存储器存取操作在所述暂停状态期间暂停;
从所述请求方接收在所述存储器装置处于所述暂停状态时对所述存储器装置执行动态单层级单元SLC编程操作的第三请求;及
起始对所述存储器装置的所述动态SLC编程操作。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述请求方包括存储器子系统的存储器子系统控制器,所述存储器子系统包括所述存储器装置。
10.根据权利要求8所述的方法,其中所述第一存储器存取操作包括多层级单元MLC编程操作。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述动态SLC编程操作具有比所述MLC编程操作短的编程时间。
12.根据权利要求10所述的方法,其中使用所述存储器装置的不同微调设置且相对于具有比与所述MLC编程操作相关联的数据低的优先级的数据,执行所述动态SLC编程操作。
13.根据权利要求8所述的方法,其进一步包括:
当所述存储器装置处于所述暂停状态时,将与所述第一存储器存取操作相关联的进展信息存储在所述存储器装置的页高速缓存器中。
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