[发明专利]逆变器电源老化方法

权利要求书

1.一种逆变器电源老化方法，其特征是，该方法的步骤为：

A、将数个老化单元串联在一起，一个老化单元的输入端连接与其相邻的老化单元的输出端；

老化单元由一个被试逆变器和一个DC并联输出模块组成，被试逆变器的输出端连接DC并联输出模块的输入端；

最后一个老化单元的DC并联输出模块的输出端VD0反馈至其余老化单元的DC并联输出模块的V2输入端，每个老化单元的输入端和输出端均与交流接触器JS的静触桥连接；

B、电网电源通过AC/DC转换电路UE1连接所有串联在一起的老化单元；

C、在老化的过程中，如果有被试逆变器故障无输出，则与故障被试逆变器相连的交流接触器JS释放，其触桥将该老化单元短接，则其余老化单元继续老化试验。

2.根据权利要求1所述的逆变器电源老化方法，其特征是，所述DC并联输出模块包括AC/DC转换电路UV1、霍尔电流互感器HGQ、电流反馈比较电路、DC/DC转换电路UV2、电压反馈比较电路，被试逆变器输出的工频电源送至AC/DC转换电路UV1的输入端V1，AC/DC转换电路UV1的输出端穿过霍尔电流互感器HGQ,，霍尔电流互感器HGQ输出信号连接电流反馈比较电路并控制AC/DC转换电路UV1输出恒定电流，电流反馈比较电路连接AC/DC转换电路UV1使其输出电流被控制恒定，DC/DC转换电路UV2的输出经防回流二极管D1至输出端VD0，连接VD0的电压反馈比较电路控制DC/DC转换电路，使输出的VD0电压符合被试逆变器输入电压并使其恒定。

3.根据权利要求2所述的逆变器电源老化方法，其特征是，所述DC并联输出模块的AC/DC转换电路UV2采用可控硅光耦控制移相触发导通模块JM，组成可控硅移相触发整流，其整流形式为单相桥或三相桥，控制方式为半桥或全桥。

4.根据权利要求3所述的逆变器电源老化方法，其特征是，所述可控硅光耦控制移相触发导通模块JM包括单向可控硅Q1、单向可控硅Q2、PNP三极管Q3、光耦U1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容器C1，所述单向可控硅Q1的触发极和阳极分别连接单向可控硅Q2的阴极和阳极，单向可控硅Q2的触发极连接另一端接VD0的一电容器C1、经电阻R2连接PNP三极管Q3的集电极，PNP三极管Q3的发射极连接单向可控硅Q1的阳极，PNP三极管Q3的基极接光耦U1的发射极并经电阻R3接VD0，光耦U1的集电极连接单向可控硅Q1的阳极。

5.根据权利要求1所述的逆变器电源老化方法，其特征是，所述老化单元包括可控硅光耦控制移相触发导通模块JM1、可控硅光耦控制移相触发导通模块JM2、可控硅光耦控制移相触发导通模块JM3、二极管D1、二极管D2、二极管D3、霍尔电流互感器HGQ、比较器AI1，二极管D1、二极管D2、二极管D3分别与可控硅光耦控制移相触发导通模块JM1、可控硅光耦控制移相触发导通模块JM2、可控硅光耦控制移相触发导通模块JM3由正到负串联，二极管D1、二极管D2、二极管D3的正端为GND, 控硅光耦控制移相触发导通模块JM1、可控硅光耦控制移相触发导通模块JM2、可控硅光耦控制移相触发导通模块JM3的负端连接为正端VD0，二极管D1、二极管D2、二极管D3与控硅光耦控制移相触发导通模块JM1、可控硅光耦控制移相触发导通模块JM2、可控硅光耦控制移相触发导通模块JM3的连接点分别连接被试逆变器输出端的A、B、C点，控硅光耦控制移相触发导通模块JM1、可控硅光耦控制移相触发导通模块JM2、可控硅光耦控制移相触发导通模块JM3的L+、L-顺极性串联，控硅光耦控制移相触发导通模块JM1的L+经电阻R4接VD0，控硅光耦控制移相触发导通模块JM3的L-接比较器AI1的集电极输出端，比较器AI1的+输入端接基准电压VZ,比较器AI1的负输入端接霍尔电流互感器HGQ。