[发明专利]芯片组件及芯片封装方法在审
| 申请号： | 202111267385.4 | 申请日： | 2021-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN113823573A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 曹啸 | 申请（专利权）人： | 海光信息技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/52;H01L21/56;H01L23/367;B23K31/02 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区华苑产*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 组件 封装 方法 | ||
1.一种芯片封装方法，其特征在于，包括：
在散热盖的底面形成浸润膜；
在芯片本体的背面形成散热膜，所述浸润膜用于在通过助焊剂将散热盖与芯片本体焊接在一起时，与散热膜熔融接触在一起；
在所述散热膜上涂布助焊剂；
将助焊剂与浸润膜贴合；
对所述芯片本体和散热盖进行焊接处理，以使所述芯片本体和散热盖通过所述浸润膜和散热膜结合在一起。
2.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述浸润膜的材料包括：铟或铟合金。
3.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述浸润膜厚度为10～400微米。
4.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述散热膜的材料包括：铝、钛、镍、金、钒和铟中的多种。
5.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述散热膜的厚度为0.4～2纳米。
6.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述助焊剂的重量为0.1～1毫克。
7.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述浸润膜的面积与所述芯片本体结合面的面积的比值为0.80～2.25；
所述芯片本体结合面为所述芯片本体用于与散热盖结合的平面区域；
所述散热膜相对所述芯片本体的背面的覆盖率不小于0.995；
所述助焊剂相对所述芯片本体的背面的覆盖率不小于0.99。
8.一种芯片组件，其特征在于，包括：芯片本体和散热盖；
所述散热盖中朝向芯片本体的表面镀有浸润膜，所述芯片本体中朝向散热盖的表面镀有散热膜；
所述浸润膜用于在通过助焊剂将散热盖与芯片本体焊接在一起时，与散热膜熔融接触在一起；
所述散热盖通过所述散热膜和浸润膜与所述芯片本体焊接。
9.根据权利要求8所述的芯片组件，其特征在于，所述浸润膜的材料包括：铟；
所述散热膜的材料包括：铝、钛、镍、金和铟中的至少一种。
10.根据权利要求8或9所述的芯片组件，其特征在于，所述浸润膜厚度为10～400微米；
所述散热膜的厚度为0.4～2纳米。
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