[发明专利]垂直腔面发射激光器制备方法及垂直腔面发射激光器

权利要求书

1.一种垂直腔面发射激光器制备方法，包括：对高铝组分区进行侧壁氧化以生成中间带有氧化孔的氧化限制层的步骤；其特征在于，所述高铝组分区是由至少两个具有不同铝组分的高铝组分层上、下复合而成的复合层结构，所述复合层结构可防止所述氧化限制层内缘的纵截面上出现尖端结构。

2.如权利要求1所述垂直腔面发射激光器制备方法，其特征在于，所述复合层结构以中间的高铝组分层为中心上、下对称分布，且中间的高铝组分层具有最高的铝组分而其上、下两侧的高铝组分层的铝组分向外逐层降低。

3.如权利要求2所述垂直腔面发射激光器制备方法，其特征在于，所述复合层结构中间的高铝组分层为AlAs层，其厚度为5nm～15nm；AlAs层的上、下两侧各有4层具有不同铝组分的AlGaAs层；从AlAs层开始由内向外计，第一层AlGaAs层含Al量为98%，厚度为5 nm～20nm；第二层AlGaAs层含Al量为96%，厚度为5 nm～20nm；第三层AlGaAs层含Al量为92～94%，厚度为10 nm～30nm；第四层AlGaAs层含Al量为86～90%，厚度为10 nm～30nm。

4.如权利要求3所述垂直腔面发射激光器制备方法，其特征在于，在所述复合层结构的上、下分别为厚度小于所述复合层结构厚度的GaAs层。

5.如权利要求1所述垂直腔面发射激光器制备方法，其特征在于，所述复合层结构由至少一层第一高铝组分层与至少一层第二高铝组分层交替复合而成，第一高铝组分层的含Al量大于第二高铝组分层的含Al量，第一高铝组分层的厚度小于第二高铝组分层的厚度。

6.如权利要求5所述垂直腔面发射激光器制备方法，其特征在于，第一高铝组分层与第二高铝组分层均为AlGaAs层，第一高铝组分层的含Al量为第二高铝组分层含Al量的1～1.15倍，第二高铝组分层的厚度为第一高铝组分层厚度的1～1.2倍。

7.如权利要求6所述垂直腔面发射激光器制备方法，其特征在于，在所述复合层结构的上、下分别为厚度不大于第二高铝组分层厚度的GaAs层。

8.如权利要求1～7任一项所述垂直腔面发射激光器制备方法，其特征在于，所述侧壁氧化使用湿法氧化工艺。

9.如权利要求8所述垂直腔面发射激光器制备方法，其特征在于，所述湿法氧化工艺所使用的反应气体为H2/N2混合气与H2O蒸汽。

10.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，使用如权利要求1～9任一项所述方法制备得到。