[发明专利]一种密封环、堆叠结构及密封环的制作方法

权利要求书

1.一种密封环，其特征在于，所述密封环设置于芯片器件区的外围，所述密封环包括：内环结构、中环结构和外环结构；

其中，所述中环结构通过掺杂阱与所述器件区相连；所述掺杂阱位于所述内环结构和所述中环结构对应的部分衬底中，且所述掺杂阱与所述内环结构相互隔离。

2.根据权利要求1所述的密封环，其特征在于，所述器件区设置有测试电路；

所述中环结构通过所述掺杂阱与所述测试电路电连接。

3.根据权利要求2所述的密封环，其特征在于，所述衬底包括相对设置的第一面和第二面，所述掺杂阱位于所述第一面中；所述中环结构包括第一中环结构和第二中环结构；

其中，所述第一中环结构设置于所述衬底第一面的第一介质层中；

所述第二中环结构设置于所述衬底第二面的第二介质层中。

4.根据权利要求3所述的密封环，其特征在于，所述密封环设置在堆叠结构中，所述堆叠结构至少包括依次堆叠的第一芯片和第二芯片；

所述第二芯片的第一中环结构通过所述掺杂阱与所述测试电路电连接。

5.根据权利要求4所述的密封环，其特征在于，所述第一芯片的第二中环结构与所述第二芯片的第一中环结构连接。

6.根据权利要求3所述的密封环，其特征在于，所述第一中环结构包括多个金属层、连接金属层的通孔以及连接所述衬底与金属层的金属插塞。

7.根据权利要求5所述的密封环，其特征在于，所述衬底的第一面还包括多个间隔排布的隔离区和有源区；

所述第一中环结构的金属插塞包括第一金属插塞和第二金属插塞；其中，所述第一金属插塞用于连接所述有源区与所述多个金属层中的第一金属层，所述第二金属插塞用于连接所述掺杂阱与所述多个金属层中的第二金属层。

8.根据权利要求7所述的密封环，其特征在于，所述第一中环结构的第一金属层与所述第一中环结构的第二金属层不相连。

9.根据权利要求3所述的密封环，其特征在于，所述内环结构包括设置于所述第一介质层中的第一内环结构和设置于所述第二介质层中的第二内环结构；

所述外环结构包括设置于所述第一介质层中的第一外环结构和设置于所述第二介质层中的第二外环结构。

10.根据权利要求9所述的密封环，其特征在于，所述第一内环结构与所述第一外环结构结构相同；

其中，所述第一内环结构包括多个金属层、连接金属层的通孔以及连接所述衬底与所述多个金属层中的第三金属层的金属插塞。

11.根据权利要求10所述的密封环，其特征在于，所述第一内环结构的金属插塞设置于所述隔离区，且所述第一外环结构的金属插塞设置于所述有源区。

12.根据权利要求9至11任一项所述的密封环，其特征在于，所述第二内环结构、所述第二中环结构和所述第二外环结构的结构均相同；

其中，所述第二内环结构包括至少两层金属层和连接相邻金属层的通孔。

13.根据权利要求4所述的密封环，其特征在于，所述器件区还设置有硅通孔；

所述测试电路通过所述硅通孔连接至所述堆叠结构中的最顶层芯片的表面。

14.一种堆叠结构，其特征在于，所述堆叠结构包括依次背对面键合的多个所述芯片，每一所述芯片至少包括权利要求1至13任一项所述的密封环。