[发明专利]基板处理装置及基板处理方法在审
申请号: | 202111269772.1 | 申请日: | 2021-10-29 |
公开(公告)号: | CN114446823A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 高桥朋宏 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 陈甜甜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,具备:
基板保持部,保持配列成沿列方向排成一列的基板列的多个基板;
处理槽,贮存用以浸渍由所述基板保持部保持的基板的处理液;及
多个气泡产生管,通过对所述处理液供给气体而在所述处理液中产生气泡;
所述多个气泡产生管中,对位于浸渍在所述处理液中的所述基板列的端部下方的端部气泡产生管供给的气体的流量,与对位于所述基板列的中央下方的中央气泡产生管供给的气体的流量不同。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中
所述多个气泡产生管是与所述基板的主面的法线方向正交地延伸。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中
所述中央气泡产生管的每单位面积的数量,少于所述端部气泡产生管的单位面积的数量。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中
所述多个气泡产生管中,对位于浸渍在所述处理液中的所述基板列的端部下方的端部气泡产生管供给的气体的流量,多于对位于所述基板列的中央下方的中央气泡产生管供给的气体的流量。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其还具备:
多个气体供给管,与所述多个气泡产生管连接;及
流量控制机构,控制流经所述多个气体供给管的气体的流量;
所述流量控制机构以对所述端部气泡产生管供给的气体的流量多于对所述中央气泡产生管供给的气体的流量的方式,控制流经所述多个气体供给管的气体的流量。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其还具备压力计,所述压力计测定流经与所述端部气泡产生管连接的气体供给管的气体的压力、及流经与所述中央气泡产生管连接的气体供给管的气体的压力。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其还具备控制部,所述控制部控制所述流量控制机构,
所述控制部,
根据流经与所述端部气泡产生管连接的气体供给管的气体的压力、及流经与所述端部气泡产生管连接的气体供给管的气体的压力,而控制流经所述多个气体供给管的气体的流量。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置,其还具备:
控制部,控制所述流量控制机构;及
存储部,存储控制程序;
所述控制部按照所述控制程序来控制所述流量控制机构。
9.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中
所述中央气泡产生管包含:
中央第1配管,配置在相对于所述基板而言为水平方向的一侧的下方;及
中央第2配管,与所述中央第1配管分离,且与所述中央第1配管成直线状地配列在相对于所述基板而言为水平方向的另一侧的下方;
所述端部气泡产生管包含:
端部第1配管,配置在相对于所述基板而言为水平方向的一侧的下方;及
端部第2配管,与所述端部第1配管分离,且与所述端部第1配管成直线状地配列在相对于所述基板而言为水平方向的另一侧的下方。
10.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其还具备液体喷出管,所述液体喷出管配置在所述处理槽中。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置,其中
所述液体喷出管以相对于所述基板的主面的法线方向而平行地延伸的方式配置。
12.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中
所述处理液包含磷酸液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造