[发明专利]一种离子型两端仿生忆阻器件及其制备方法在审
申请号: | 202111270409.1 | 申请日: | 2021-10-29 |
公开(公告)号: | CN114005936A | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 陈琳;孟佳琳;王天宇;孙清清;张卫 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;G06N3/063 |
代理公司: | 北京得信知识产权代理有限公司 11511 | 代理人: | 孟海娟 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 离子 两端 仿生 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种离子型两端仿生忆阻器件,其特征在于,
包括:
衬底;
底层电极,形成在所述衬底上,以一定间隔沿第一方向平行排列,作为忆阻器的一端;
离子凝胶,形成在所述底层电极上,作为忆阻器的功能层;
顶层电极,形成在所述离子凝胶上,以一定间隔沿第二方向平行排列,与底层电极呈交叉阵列结构,作为忆阻器的另一端,
其中,忆阻器的两端分别对应着突触前端与突触后端,忆阻器的功能层对应突触间隙,利用离子凝胶中离子的可扩散性模拟类脑神经突触中的离子迁移,实现导电通道的信息传递,模拟类似生物体中的离子通道作用,完成神经突触权重调制过程。
2.根据权利要求1所述的离子型两端仿生忆阻器件,其特征在于,
通过对顶层电极施加连续的脉冲刺激,以忆阻器的电导状态作为突触权重,完成神经突触权重调制过程,
当在顶层电极施加正向脉冲时,忆阻器中离子会在电压的激励下向底层电极移动并积累,最终在底层电极和顶层电极连接成为导电的通道,实现突触权重的增强作用;
当在顶层电极施加负向脉冲时,离子形成的导电通道被破坏,离子的分布更加无序,从而导致器件的电导变小,实现突触权重的抑制作用。
3.根据权利要求1所述的离子型两端仿生忆阻器件,其特征在于,
所述离子凝胶中凝胶溶质离子是生物体中存在的重要元素离子,凝胶溶剂是可溶解所述溶质离子且不与之发生反应的有机物。
4.根据权利要求3所述的离子型两端仿生忆阻器件,其特征在于,
所述凝胶溶质离子是Li+、Na+、Ca2+、K+中的一种或其组合,所述凝胶溶剂是PEO、PI、PVA、PVP中的一种或其组合。
5.根据权利要求4所述的离子型两端仿生忆阻器件,其特征在于,
所述离子凝胶为LiClO4/PEO混合凝胶。
6.一种离子型两端仿生忆阻器件制备方法,其特征在于,
包括以下步骤:
在衬底上形成以一定间隔沿第一方向平行排列的底层电极,作为忆阻器的一端;
在所述底层电极上形成离子凝胶,作为忆阻器的功能层;
在所述离子凝胶上形成以一定间隔沿第二方向平行排列的顶层电极,与所述底层电极呈交叉阵列结构,作为忆阻器的另一端,
其中,忆阻器的两端分别对应着突触前端与突触后端,忆阻器的功能层对应突触间隙,利用离子凝胶中离子的可扩散性模拟类脑神经突触中的离子迁移,实现导电通道的信息传递,模拟类似生物体中的离子通道作用,完成神经突触权重调制过程。
7.根据权利要求6所述的一种离子型两端仿生忆阻器件制备方法,其特征在于,
对顶层电极施加连续的脉冲刺激,并对其电流进行记录,以忆阻器的电导状态作为突触权重,实现神经突触特性的模拟,
当施加正向脉冲在顶电极时,忆阻器中离子会在电压的激励下向底电极移动并积累,最终在底电极和顶电极连接成为导电的通道,实现突触权的增强作用;
当施加负向脉冲在顶电极时,离子形成的导电通道被破坏,离子的分布更加无序,从而导致器件的电导变小,实现突触权重的抑制作用。
8.根据权利要求6所述的一种离子型两端仿生忆阻器件制备方法,其特征在于,
所述离子凝胶中凝胶溶质离子是生物体中存在的重要元素离子,凝胶溶剂是可溶解所述凝胶溶质离子且不与之发生反应的有机物。
9.根据权利要求8所述的一种离子型两端仿生忆阻器件制备方法,其特征在于,
所述凝胶溶质离子是Li+、Na+、Ca2+、K+中的一种或其组合,凝胶溶剂是PEO、PI、PVA、PVP中的一种或其组合。
10.根据权利要求6所述的一种离子型两端仿生忆阻器件制备方法,其特征在于,
所述底层电极为Pt,Al,Au,Ag或Ti;所述顶层电极为TaN,TiN,Ag或Al。
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