[发明专利]一种高光刻胶选择比硅隔离深槽刻蚀方法及系统

权利要求书

1.一种高光刻胶选择比硅隔离深槽刻蚀方法，其特征在于包括下列步骤：

(1)设置刻蚀阶段、钝化阶段的特定气体流量和时间，将硅对光刻胶刻蚀选择比提高到120：1，在整个刻蚀过程中直接用光刻胶作为刻蚀掩模；

(2)设置特定的射频功率，即线圈功率，从而产生足够高的等离子体密度，实现快速刻蚀，刻蚀速率5um/min；

(3)采用快速实现刻蚀和钝化工艺切换和渐变的工艺参数来保证深槽的陡直度且线条光滑，陡直度为90°±0.1°，渐变的工艺参数包括电极功率和工艺压力。

2.根据权利要求1所述的一种高光刻胶选择比硅隔离深槽刻蚀方法，其特征在于：所述步骤(1)中设置刻蚀阶段、钝化阶段的特定气体流量和时间，具体为：刻蚀阶段气体SF6流量为450sccm，时间为3.4s；钝化阶段气体C4F8流量为250sccm，时间为2.6s。

3.根据权利要求1所述的一种高光刻胶选择比硅隔离深槽刻蚀方法，其特征在于：步骤(2)中，刻蚀阶段的线圈功率为2500W，钝化阶段的线圈功率为2000W。

4.根据权利要求1所述的一种高光刻胶选择比硅隔离深槽刻蚀方法，其特征在于：所述步骤(3)中，采用快速实现刻蚀和钝化工艺切换，具体为：刻蚀时间为3.4s。钝化时间为2.6s。

5.根据权利要求1所述的一种高光刻胶选择比硅隔离深槽刻蚀方法，其特征在于：步骤(3)中渐变参数下，电极功率刻蚀阶段初始0.8s时间内为140W，其余2.6s时间内第一个工艺周期为30W，到第260工艺周期线性渐变为35W。

6.根据权利要求1所述的一种高光刻胶选择比硅隔离深槽刻蚀方法，其特征在于：步骤(3)中渐变参数下，电极功率钝化阶段第一个工艺周期为30W，到第260工艺周期线性渐变为35W。

7.根据权利要求1所述的一种高光刻胶选择比硅隔离深槽刻蚀方法，其特征在于：步骤(3)中渐变参数下，工艺压力在刻蚀阶段初始0.8s时间内为25mT，其余2.6s时间内第一个工艺周期为40mT，到第260工艺周期线性渐变为60mT。

8.一种高光刻胶选择比硅隔离深槽刻蚀系统，其特征在于包括：

气体流量和时间设定模块：设置刻蚀阶段、钝化阶段的特定气体流量和时间，将硅对光刻胶刻蚀选择比提高到120：1，在整个刻蚀过程中直接用光刻胶作为刻蚀掩模；

等离子体产生模块：设置特定的射频功率，即线圈功率，从而产生足够高的等离子体密度，实现快速刻蚀，刻蚀速率5um/min；

工艺切换和参数设置模块：采用快速实现刻蚀和钝化工艺切换和渐变的工艺参数来保证深槽的陡直度且线条光滑，陡直度为90°±0.1°，渐变的工艺参数包括电极功率和工艺压力；

设置刻蚀阶段、钝化阶段的特定气体流量和时间，具体为：刻蚀阶段气体SF6流量为450sccm，时间为3.4s；钝化阶段气体C4F8流量为250sccm，时间为2.6s；

刻蚀阶段的线圈功率为2500W，钝化阶段的线圈功率为2000W；

采用快速实现刻蚀和钝化工艺切换，具体为：刻蚀时间为3.4s。钝化时间为2.6s；

电极功率刻蚀阶段初始0.8s时间内为140W，其余2.6s时间内第一个工艺周期为30W，到第260工艺周期线性渐变为35W；电极功率钝化阶段第一个工艺周期为30W，到第260工艺周期线性渐变为35W；工艺压力在刻蚀阶段初始0.8s时间内为25mT，其余2.6s时间内第一个工艺周期为40mT，到第260工艺周期线性渐变为60mT。