[发明专利]一种MEMS结构及其制造方法

权利要求书

1.一种MEMS结构，其特征在于，包括：

衬底，具有空腔；

振动支撑层，形成在所述衬底上方并且覆盖所述空腔；

第一电极层，形成在所述振动支撑层上方并且悬置在所述空腔上方；

压电层，形成在所述第一电极层上方；

第二电极层，形成在所述压电层上方；

缓冲件，从所述振动支撑层的上表面延伸至所述振动支撑层的下表面，所述缓冲件位于所述第一电极层、所述压电层和所述第二电极层的外围，并且悬置在所述空腔上方。

2.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述MEMS结构还包括阻挡层，所述阻挡层形成在所述衬底和所述振动支撑层之间，并且所述阻挡层将所述第一电极层和所述衬底隔离开。

3.根据权利要求2所述的MEMS结构，其特征在于，所述第一电极层、所述压电层和所述第二电极层的投影区域小于所述空腔的投影区域。

4.根据权利要求3所述的MEMS结构，其特征在于，所述缓冲件在截面上包括呈工字型的第一端部、中间部和第二端部，所述第一端部位于所述振动支撑层下方，所述第二端部位于所述振动支撑层上方，所述中间部连接所述第一端部和所述第二端部。

5.一种MEMS结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，并且蚀刻所述衬底的上表面形成第一凹槽；

在所述衬底上方共形地形成阻挡层，所述阻挡层填充部分的所述第一凹槽；

在已部分填充的所述第一凹槽内再次填充缓冲材料并且平坦化以露出所述阻挡层的上表面，从而形成缓冲件的第一端部；

在所述阻挡层和所述第一端部的上方形成振动支撑层，并且图形化以形成露出所述第一端部的第二凹槽；

在所述第二凹槽内填充缓冲材料并且图形化，以形成在所述第二凹槽内的所述缓冲件的中间部和露出在所述第二凹槽外的所述缓冲件的第二端部；

在所述振动支撑层上方依次形成第一电极层、压电层和第二电极层；

蚀刻所述衬底的下表面以形成贯穿所述衬底和所述阻挡层的空腔。

6.根据权利要求5所述的MEMS结构的制造方法，其特征在于，所述缓冲件位于所述第一电极层、所述压电层和所述第二电极层的外围，并且悬置在所述空腔上方。

7.根据权利要求6所述的MEMS结构的制造方法，其特征在于，所述第一电极层、所述压电层和所述第二电极层的投影区域小于所述空腔的投影区域。

8.根据权利要求5所述的MEMS结构的制造方法，其特征在于，所述缓冲件包括呈工字型的第一端部、中间部和第二端部，所述第一端部位于所述振动支撑层下方，所述第二端部位于所述振动支撑层上方，所述中间部连接所述第一端部和所述第二端部。