[发明专利]存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底，包括多个有源区以及一隔离结构包围所述多个有源区；

多个位线结构，位于所述衬底上，并与所述有源区直接接触；

侧墙间隔层，至少覆盖所述位线结构的侧壁，并沿部分所述位线结构的侧壁深入所述隔离结构。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述位线结构包括依次堆叠的位线接触插塞、位线导电层及位线遮蔽层，其中，所述位线导电层的顶部的尺寸大于所述位线导电层的底部的尺寸。

3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述位线结构包括“U”型设置的扩散阻挡层、填充在所述扩散阻挡层内的导电层，及位于所述扩散阻挡层和所述导电层之上的遮蔽图案。

4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述扩散阻挡层与所述有源区直接接触。

5.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述扩散阻挡层的底部和侧壁均与所述侧墙间隔层接触。

6.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，还包括衬垫层，所述衬垫层位于所述位线结构与所述衬底之间。

7.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述扩散阻挡层与所述衬垫层接触。

8.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述侧墙间隔层包括第一间隔层和第二间隔层，其中，

所述第二间隔层覆盖位线结构的侧壁，且沿部分所述位线结构的侧壁深入所述隔离结构；

所述第一间隔层覆盖在所述衬底上的所述第二间隔层的侧壁。

9.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述侧墙间隔层包括第一间隔层和第二间隔层，其中，

所述第一间隔层和所述第二间隔层均沿部分所述位线结构深入所述隔离结构，其中，所述第一间隔层呈“L”型，所述第二间隔层位于所述“L”型的水平端之上。

10.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述侧墙间隔层包括第一间隔层、第二间隔层及第三间隔层，所述第一间隔层和所述第二间隔层均位于所述衬底之上，

其中，所述第一间隔层呈“L”型，所述第二间隔层位于所述“L”型的水平端之上，所述第三间隔层接触所述第二间隔层的侧壁及所述第一间隔层的“L”型的水平端，并沿部分所述位线结构的侧壁深入所述隔离结构。

11.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，至少部分所述侧墙间隔层呈“U”型设置，以从底部隔离所述位线结构。

12.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，包括多个有源区以及一隔离结构包围所述多个有源区；

在所述衬底上形成介质层并进行图案化，以形成多个位线沟槽，所述位线沟槽至少部分深入所述衬底；

在所述位线沟槽的侧壁形成侧墙间隔层；以及，

在所述位线沟槽中形成位线结构，其中，所述侧墙间隔层至少覆盖所述位线结构的侧壁并沿部分所述位线结构的侧壁深入所述隔离结构。

13.根据权利要求12所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述侧墙间隔层包括第一间隔层和第二间隔层，所述侧墙间隔层的形成过程包括：

沿所述位线沟槽的侧壁和底部依次形成第一间隔层和第二间隔层；以及，

刻蚀部分所述第一间隔层和所述第二间隔层的底部，以暴露部分所述有源区。