[发明专利]分栅式闪存存储器的制造方法

权利要求书

1.一种分栅式闪存存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次形成浮栅层和字线，所述字线贯穿所述浮栅层；

刻蚀所述浮栅层以形成浮栅尖端，所述浮栅尖端形成于所述浮栅层远离所述字线的顶角处；以及，

对所述浮栅层进行氧化处理，以使所述浮栅尖端圆滑化。

2.如权利要求1所述的分栅式闪存存储器的制造方法，其特征在于，所述浮栅层的形成方法包括：

在所述半导体衬底上依次形成浮栅材料层和硬掩膜层，所述硬掩膜层中具有暴露出部分所述浮栅材料层的第一开口；

以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀暴露出的部分厚度的所述浮栅材料层，以使所述浮栅材料层的顶表面呈圆弧形；

形成侧墙层，所述侧墙层覆盖所述第一开口的侧壁；以及，

以所述侧墙层和所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀暴露出的所述浮栅材料层以形成所述浮栅层。

3.如权利要求2所述的分栅式闪存存储器的制造方法，其特征在于，所述浮栅尖端的形成方法包括：

去除所述硬掩膜层，以暴露出所述浮栅层；

以所述侧墙层为掩膜刻蚀所述浮栅层，以形成所述浮栅尖端。

4.如权利要求2所述的分栅式闪存存储器的制造方法，其特征在于，所述侧墙层的材质为氧化硅和/或氮氧化硅。

5.如权利要求2所述的分栅式闪存存储器的制造方法，其特征在于，所述浮栅层中具有与所述第一开口连通的第二开口。

6.如权利要求5所述的分栅式闪存存储器的制造方法，其特征在于，在形成所述浮栅层之后，在形成所述字线之前，还包括：形成遂穿氧化层，所述遂穿氧化层覆盖所述第二开口的侧壁和底壁并延伸覆盖所述侧墙层，且所述遂穿氧化层中具有第三开口。

7.如权利要求6所述的分栅式闪存存储器的制造方法，其特征在于，所述字线填充所述第三开口，且所述字线的顶表面与所述侧墙层的顶表面平齐，或者，所述字线的顶表面低于所述侧墙层的顶表面。

8.如权利要求1所述的分栅式闪存存储器的制造方法，其特征在于，所述氧化处理包括热氧化工艺和/或原位水汽生成工艺。

9.如权利要求8所述的分栅式闪存存储器的制造方法，其特征在于，所述热氧化工艺的工艺气体包括氧气，工艺温度为500℃～1200℃；所述原位水汽生成工艺的气体包括氢气与氧气，工艺温度为800℃～1100℃。

10.如权利要求1所述的分栅式闪存存储器的制造方法，其特征在于，所述浮栅层与所述半导体衬底之间还形成有浮栅氧化层。