[发明专利]晶粒尺寸的测量方法

权利要求书

1.一种晶粒尺寸的测量方法，其特征在于，包括：

提供多个参考薄膜，获取所有所述参考薄膜的反射率及晶粒尺寸；

利用所有所述参考薄膜的反射率及对应的晶粒尺寸，建立所述参考薄膜的反射率与晶粒尺寸的映射关系；以及，

提供待测薄膜，获取所述待测薄膜的反射率，并根据所述映射关系得到所述待测薄膜的晶粒尺寸。

2.如权利要求1所述的晶粒尺寸的测量方法，其特征在于，获取所述参考薄膜的反射率的步骤包括：

选取所述参考薄膜的表面上的若干第一参考点；

将一光束依次入射至所述第一参考点上，获取每个所述第一参考点反射的光束，以得到每个所述第一参考点的反射率；以及，

将所有所述第一参考点的反射率的均值作为所述参考薄膜的反射率；和/或，

获取所述待测薄膜的反射率的步骤包括：

选取所述待测薄膜的表面上的若干第二参考点；

将一光束依次入射至所述第二参考点上，获取每个所述第二参考点反射的光束，以得到每个所述第二参考点的反射率；以及，

将所有所述第二参考点的反射率的均值作为所述待测薄膜的反射率。

3.如权利要求2所述的晶粒尺寸的测量方法，其特征在于，每个所述参考薄膜选取的第一参考点的位置相对应。

4.如权利要求2所述的晶粒尺寸的测量方法，其特征在于，获取所述参考薄膜的晶粒尺寸的步骤包括：

利用电子显微镜获取所述参考薄膜的表面图像；

在所述表面图像上画至少一条穿过所述表面图像的中心的参考线，测量位于每条所述参考线上的所有晶粒的尺寸；以及，

根据每条所述参考线上的所有晶粒的尺寸得到每条所述参考线上的晶粒的尺寸的均值，根据每条所述参考线上的晶粒的尺寸的均值得到所述表面图像中的晶粒的尺寸的均值，所述表面图像中的晶粒的尺寸的均值作为所述参考薄膜的晶粒尺寸。

5.如权利要求4所述的晶粒尺寸的测量方法，其特征在于，所有所述第一参考点均位于所述参考线上。

6.如权利要求2所述的晶粒尺寸的测量方法，其特征在于，所述第一参考点沿所述参考薄膜的中心对称分布。

7.如权利要求2所述的晶粒尺寸的测量方法，其特征在于，所述第一参考点和所述第二参考点的位置相对应。

8.如权利要求1所述的晶粒尺寸的测量方法，其特征在于，所述映射关系为表征所述参考薄膜的反射率与晶粒尺寸关系的曲线图。

9.如权利要求1所述的晶粒尺寸的测量方法，其特征在于，所述参考薄膜和所述待测薄膜的材料、制备工艺以及制备工艺的参数均相同。

10.如权利要求9所述的晶粒尺寸的测量方法，其特征在于，所述参考薄膜和所述待测薄膜的材料均为金属。