[发明专利]嵌入式闪存的侧墙结构的形成方法

说明书

本发明提供了一种嵌入式闪存的侧墙结构的形成方法，嵌入式闪存包括闪存区及逻辑区，闪存区包括闪存单元，逻辑区包括逻辑单元，所述嵌入式闪存的侧墙结构的形成方法包括：提供嵌入式闪存的浮栅层的版图和逻辑栅极层的版图；根据浮栅层的版图及逻辑栅极层的版图，确定嵌入式闪存的实际侧墙材料层覆盖图案的版图数据；根据实际侧墙材料层覆盖图案的版图数据和侧墙结构的预设宽度，选择对应的侧墙材料层以及侧墙结构的形成工艺。采用本发明实施例，可以根据所获得的实际侧墙材料层覆盖图案的版图数据，并结合侧墙结构的预设宽度，选择合适的侧墙材料层以及侧墙结构的形成工艺，从而对嵌入式闪存的侧墙结构的宽度进行精确控制。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种嵌入式闪存的侧墙结构的形成方法。

背景技术

在嵌入式闪存(Embedded Flash)中，闪存区中的闪存单元以及逻辑区的逻辑单元中均具有侧墙结构(spacer)。闪存单元中侧墙结构(字线侧墙结构，以下简称侧墙结构)位于闪存单元的浮栅层的侧面，其宽度会较大影响闪存单元的抗编程串扰性能(programdisturb inhibit)，若闪存单元的侧墙结构的宽度过窄还会导致PTC(编程串扰失效)。逻辑区中逻辑单元的侧墙结构位于MOS单元的逻辑栅极层的侧面，其宽度对逻辑单元(尤其是高压MOS单元，例如12V MOS单元)的击穿电压(BV)有较大影响，增加侧墙结构的宽度有利于提高逻辑单元的击穿单元。

目前通常同步形成闪存单元和逻辑单元中的上述侧墙结构，例如沉积一定厚度的侧墙材料层，以至少覆盖浮栅层的顶面及侧面以及逻辑栅极层的顶面及侧面。接着，蚀刻侧墙材料层，去除位于上述顶面的侧墙材料层，以保留于侧面的侧墙材料层为侧墙结构。

在具体实施时，相同的侧墙材料层的形成工艺对不同的嵌入式闪存产品所形成的侧墙材料层的厚度具有较大差异，进而导致后续形成的侧墙结构的宽度具有较大差异。上述较大差异对选择嵌入式闪存的侧墙结构的形成工艺时存在较大困扰。而且，上述较大差异同时导致不同嵌入式闪存产品在抗编程串扰性能及击穿电压性能存在较大波动。

发明内容

本发明的目的在于提供一种嵌入式闪存的侧墙结构的形成方法，以精确控制嵌入式闪存的侧墙结构的宽度。

为解决上述技术问题，本发明提供一种嵌入式闪存的侧墙结构的形成方法，所述嵌入式闪存包括闪存区及逻辑区，所述闪存区包括闪存单元，所述逻辑区包括逻辑单元，所述嵌入式闪存的侧墙结构的形成方法包括：提供所述嵌入式闪存的浮栅层的版图和逻辑栅极层的版图，所述浮栅层位于所述闪存单元，所述逻辑栅极层位于所述逻辑单元；根据所述浮栅层的版图及所述逻辑栅极层的版图，确定所述嵌入式闪存的实际侧墙材料层覆盖图案的版图数据，所述实际侧墙材料层覆盖图案为侧墙材料层覆盖所述浮栅层及所述逻辑栅极层的图案；根据所述实际侧墙材料层覆盖图案的版图数据和所述侧墙结构的预设宽度，选择对应的侧墙材料层以及侧墙结构的形成工艺，以形成所述侧墙结构。

可选的，所述实际侧墙材料层覆盖图案的版图数据包括所述实际侧墙材料层覆盖图案的版图密度和/或所述实际侧墙材料层覆盖图案的比表面积数据。

可选的，根据所述浮栅层的版图及所述逻辑栅极层的版图，确定所述嵌入式闪存的实际侧墙材料层覆盖图案的版图密度的方法包括：根据所述逻辑栅极层的版图密度，获得第一版图密度；以及，根据所述浮栅层的版图密度以及所述浮栅层与所述逻辑栅极层的高度差异系数，获得第二版图密度，所述嵌入式闪存的实际侧墙材料层覆盖图案的图密度为所述第一版图密度与所述第二版图密度之和。

可选的，所述第二版图密度为所述浮栅层的版图密度、所述浮栅层的拓展宽度系数及所述高度差异系数三者的乘积。