[发明专利]一种锑化镓晶片的单面抛光方法及锑化镓抛光片

说明书

本发明涉及半导体材料的加工技术领域，尤其涉及一种锑化镓晶片的单面抛光方法及锑化镓抛光片。所述锑化镓晶片的单面抛光方法包括以下步骤：A)采用粗抛试剂对锑化镓晶片进行单面粗抛；所述粗抛试剂包括硅溶胶抛光液、双氧水、柠檬酸钠、焦磷酸钠和水；B)将所述粗抛后的锑化镓晶片采用精抛试剂进行单面精抛，得到锑化镓抛光片；所述精抛试剂包括硅溶胶抛光液、氧化剂和水。本发明提供的锑化镓晶片的单面抛光方法包括两步抛光：单面粗抛和单面精抛。通过采用特定的粗抛试剂和精抛试剂进行单面粗抛和单面精抛，最终制备的锑化镓抛光片的抛光面平整度较高，粗糙度较低。

技术领域

本发明涉及半导体材料的加工技术领域，尤其涉及一种锑化镓晶片的单面抛光方法及锑化镓抛光片。

背景技术

锑化镓为直接带隙半导体材料，室温下禁带宽度为0.725eV，其晶格常数为0.6096nm，与一些超晶格晶格匹配度高，被用于激光器，探测器，高频器件等的衬底材料。

随着外延器件制备工艺的日趋成熟，外延器件对锑化镓晶片表面的质量要求越来越高。目前锑化镓衬底亟需解决的问题是如何提高锑化镓晶片的平整度，降低粗糙度。

中国专利CN106064326B提供了一种锑化镓单晶片的抛光方法，采用上蜡抛光的工艺，通过粗抛、中抛和精抛三步抛光工艺后获得粗糙度小于0.3nm的抛光片，整体抛光工艺复杂，操作步骤多，易造成晶片背面质量差等问题。

中国专利CN112077691A提供了一种锑化镓单晶片的抛光方法，采用双面磨削后上蜡化学机械抛光的方法获得粗糙度小于0.15nm的晶片。但是抛光过程中，对晶片进行上蜡或者下蜡容易造成晶片破碎，下蜡后需进行化蜡，造成清洗工艺繁琐。

发明内容

有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种锑化镓晶片的单面抛光方法及锑化镓抛光片，本发明制备的锑化镓抛光片的抛光面平整度较高，粗糙度较低。

本发明提供了一种锑化镓晶片的单面抛光方法，包括以下步骤：

A)采用粗抛试剂对锑化镓晶片进行单面粗抛；

所述粗抛试剂包括硅溶胶抛光液、双氧水、柠檬酸钠、焦磷酸钠和水；

B)将所述粗抛后的锑化镓晶片采用精抛试剂进行单面精抛，得到锑化镓抛光片；

所述精抛试剂包括硅溶胶抛光液、氧化剂和水。

优选的，步骤A)中，采用粗抛试剂对锑化镓晶片进行单面粗抛前，还包括：

将锑化镓晶片进行研磨腐蚀后，并按照厚度差≤10μm进行分组。

优选的，步骤A)中，所述粗抛试剂中，硅溶胶抛光液的含量为100～200mL/L，双氧水的含量为50～100mL/L，柠檬酸钠的含量为300～600g/L，焦磷酸钠的含量为300～600g/L。

优选的，步骤A)中，所述硅溶胶抛光液中，硅溶胶的粒径为100～200nm；

所述硅溶胶抛光液的pH值为8～13。

优选的，步骤A)中，所述单面粗抛的压力为800～1500N，转速为15～50rpm，流量为1000～2000mL/min；

所述单面粗抛的时间为8～10min。

优选的，步骤A)中，所述单面粗抛采用硬度为50～60的无纺布抛光垫；

所述单面粗抛在9B单面抛光机中进行。

优选的，步骤B)中，所述精抛试剂中，硅溶胶抛光液的含量为50～500mL/L，氧化剂的含量为100～200mL/L。

优选的，步骤B)中，所述硅溶胶抛光液中，硅溶胶的粒径为20～100nm；