[发明专利]一种晶圆提拉干燥方法及晶圆干燥装置有效
申请号: | 202111279331.X | 申请日: | 2021-11-01 |
公开(公告)号: | CN114001526B | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 申兵兵 | 申请(专利权)人: | 华海清科股份有限公司 |
主分类号: | F26B5/00 | 分类号: | F26B5/00;F26B21/00;F26B25/00;H01L21/67 |
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地址: | 300350 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆提拉 干燥 方法 装置 | ||
本发明公开了一种晶圆提拉干燥方法及晶圆干燥装置,所述晶圆提拉干燥方法包括:将晶圆经由冲洗喷杆放置于清洗槽中的支撑部,所述支撑部侧向摆动以带动晶圆朝向顶升机构倾斜;提拉机构的夹紧部预先移动至交接位置下侧,与所述支撑部的位置相对的顶升机构推动晶圆向上移动;当晶圆中心通过所述夹紧部,夹紧部加速向上移动至其速度与顶升机构相同后,两者均速向上移动;夹紧部与顶升机构均匀移动至交接位置时,所述夹紧部夹紧晶圆继续向上移动,顶升机构随夹紧部向上移动后再向下移动至初始位置;在晶圆倾斜向上移动的过程中,干燥喷杆朝向经由的晶圆表面喷射干燥气体,以完成晶圆的提拉干燥。
技术领域
本发明属于晶圆后处理技术领域,具体而言,涉及一种晶圆提拉干燥方法及晶圆干燥装置。
背景技术
化学机械抛光(Chemical Mechanical Planarization,CMP)是集成电路(Integrated Circuit,IC)制造中获得全局平坦化的一种超精密表面加工工艺。随着集成电路制造技术的发展,对晶圆表面缺陷的控制越来越严格。在晶圆制造过程中,晶圆表面会吸附颗粒或有机物等污染物而产生大量缺陷,需要后处理工艺去除这些缺陷。尤其是在化学机械抛光中大量使用的化学试剂及研磨剂会造成晶圆表面的污染,所以在抛光之后需要引入后处理工艺以去除晶圆表面的污染物,后处理工艺一般由清洗和干燥组成,以提供光滑洁净的晶圆表面。
常见的干燥技术有旋转漂洗干燥(SRD,Spin Rinse Dry)和马兰戈尼干燥(马兰戈尼亦称为“马兰格尼”或“马拉戈尼”Marangoni)。与传统的SRD相比,由于消除液痕缺陷的出色性能,基于马兰戈尼效应的晶圆干燥受到了广泛关注。马兰戈尼效应是由表面张力梯度引起的界面对流现象。现有的基于马兰戈尼效应的干燥技术是,当从去离子水的水浴中取出晶圆时,在晶圆-空气-液体所形成的“弯液面”上吹射诸如含有异丙醇IPA的有机蒸气,诱导产生的马兰戈尼效应实现附着液体的回流,从而获得全面干燥的晶圆。
提拉干燥过程中,晶圆交接时的平稳移动至关重要。晶圆的平稳交接能够有效避免表面液膜的破坏,有利于准确识别弯液面,以充分诱导马兰戈尼效应,保证晶圆的干燥效果。
通常晶圆交接时,第一运送机构将晶圆送达指定位置后停止,然后由第二运送机构从第一运送机构上取走晶圆,完成交接。或者第一运送机构将晶圆送达指定位置后放在晶圆定位机构上,然后由第二运送机构从晶圆定位机构上取走晶圆以完成交接。然而在晶圆提拉干燥过程中,晶圆静止不动会破坏晶圆表面的液膜,这是不允许的。
因此,如何实现晶圆的动态交接,在保证可靠性的前提下,提高交接效率始终是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明旨在至少一定程度上解决现有技术中存在的技术问题之一。
为此,本发明实施例的提供了一种晶圆提拉干燥方法,其包括:
S1,将晶圆经由冲洗喷杆放置于清洗槽中的支撑部,所述支撑部侧向摆动以带动晶圆朝向顶升机构倾斜;
S2,提拉机构的夹紧部预先移动至交接位置下侧,与所述支撑部的位置相对的顶升机构推动晶圆向上移动;
S3,当晶圆中心通过所述夹紧部,夹紧部加速向上移动至其速度与顶升机构的速度相同后,两者均速向上移动;
S4,夹紧部与顶升机构均匀移动至交接位置时,所述夹紧部夹紧晶圆继续向上移动,顶升机构随夹紧部向上移动后再向下移动至初始位置;
S5,在晶圆倾斜向上移动的过程中,干燥喷杆朝向经由的晶圆表面喷射干燥气体,以完成晶圆的提拉干燥。
作为优选实施例,所述夹紧部加速至顶升机构的速度时,所述夹紧部的竖向位置与晶圆夹持点的位置相匹配。
作为优选实施例,所述提拉机构与顶升机构的速度同步后,所述夹紧部开始朝向晶圆水平移动;当顶升机构移动至交接位置时,所述夹紧部夹紧晶圆。
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