[发明专利]显示基板、显示面板和显示装置在审
申请号: | 202111280097.2 | 申请日: | 2021-10-29 |
公开(公告)号: | CN113851493A | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 王彬艳;金度岭;承天一;杜丽丽;周宏军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;G09G3/3233 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张琛 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
提供一种显示基板、显示面板和显示装置。显示基板包括显示像素区和第一虚拟像素区,设置于衬底基板且位于第一虚拟像素区中的多个虚拟子像素结构,至少一个虚拟子像素结构包括第一补偿电容器和第二补偿电容器。第一扫描信号线电连接一行子像素中每一个子像素的像素驱动电路的第四晶体管的栅极,并且第一扫描信号线还电连接至至少一个虚拟子像素结构的第一补偿电容器。第二扫描信号线电连接一行子像素中每一个子像素的像素驱动电路的第二晶体管的栅极,并且第二扫描信号线还电连接至至少一个虚拟子像素结构的第二补偿电容器。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,并且具体地涉及一种显示基板、显示面板和显示装置。
背景技术
随着用户对显示装置的多样化使用需求的增加,以及显示装置的高屏占比的设计要求的出现,具有全面屏设计的显示装置越来越受到消费者的青睐。在一种全面屏设计中,可以在显示屏中形成开孔,将例如摄像头等硬件模组置于该开孔中,从而实现全面屏的设计。在这种设计中,开孔所在的行的正常发光像素缺失较多,造成开孔所在行的负载与其他行的负载差异较大,影响像素电路的充电时间,从而对显示效果造成不利的影响。
在本部分中公开的以上信息仅用于对本公开的技术构思的背景的理解,因此,以上信息可包含不构成现有技术的信息。
发明内容
在一个方面,提供一种显示基板,所述显示基板包括显示像素区和第一虚拟像素区,所述显示基板包括:
衬底基板;
设置于所述衬底基板且位于所述显示像素区中的多个子像素,所述多个子像素沿第一方向和第二方向成阵列地排列,每一个子像素包括像素驱动电路,所述像素驱动电路包括驱动晶体管、第二晶体管和第四晶体管,所述驱动晶体管、所述第二晶体管和所述第四晶体管中的每一个均包括栅极、第一极和第二极,所述第二晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第一极和第二极中的一个电连接,所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极电连接,所述第四晶体管用于控制数据信号的写入;
设置于所述衬底基板且位于所述第一虚拟像素区中的多个虚拟子像素结构,至少一个虚拟子像素结构包括第一补偿电容器和第二补偿电容器;以及
设置于所述衬底基板的第一扫描信号线和第二扫描信号线,所述第一扫描信号线用于给所述第四晶体管的栅极供应第一扫描信号,所述第二扫描信号线用于给所述第二晶体管的栅极供应第二扫描信号,所述第一扫描信号线和所述第二扫描信号线均延伸通过所述显示像素区和所述第一虚拟像素区,
其中,所述第一扫描信号线电连接一行子像素中每一个子像素的像素驱动电路的第四晶体管的栅极,并且所述第一扫描信号线还电连接至所述至少一个虚拟子像素结构的第一补偿电容器;以及
所述第二扫描信号线电连接一行子像素中每一个子像素的像素驱动电路的第二晶体管的栅极,并且所述第二扫描信号线还电连接至所述至少一个虚拟子像素结构的第二补偿电容器。
根据一些示例性的实施例,所述显示基板包括设置于所述衬底基板的第一半导体层、第一导电层、第二导电层、第二半导体层和第三导电层,所述第一半导体层、所述第一导电层、所述第二导电层、所述第二半导体层和所述第三导电层依次远离所述衬底基板设置;所述第四晶体管的有源层位于所述第一半导体层中,所述第四晶体管的栅极位于所述第一导电层中;所述第二晶体管的有源层位于所述第二半导体层中,所述第二晶体管的栅极包括底栅和顶栅,所述第二晶体管的底栅位于所述第二导电层中,所述第二晶体管的顶栅位于所述第三导电层中;在所述第一虚拟像素区中,所述显示基板包括:位于所述第一导电层中的第一补偿结构;位于所述第二导电层中的第二补偿结构;以及位于所述第三导电层中的第三补偿结构。
根据一些示例性的实施例,所述第一补偿电容器包括所述第一补偿结构的至少一部分和所述第二补偿结构的至少一部分;所述第二补偿电容器包括所述第二补偿结构的至少一部分和所述第三补偿结构的至少一部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的