[发明专利]模拟换流阀长期运行工况的晶闸管电热联合老化实验系统

权利要求书

1.一种模拟换流阀长期运行工况的晶闸管电热联合老化实验系统，其特征在于，其包括，

降压部分，其包括，

工频电源AC1，

调压器Vr1，其连接所述工频电源AC1，

降压变压器Tr1，其连接所述调压器Vr1；

低压整流部分，其连接所述降压部分，所述低压整流部分包括，

高压整流二极管D1，其串联所述降压变压器Tr1，

高压整流二极管D2，其串联高压整流电阻R1后并联所述高压整流二极管D1及所述降压变压器Tr1，

高压整流电阻R2，其并联所述高压整流二极管D1及所述降压变压器Tr1；

熔断器F，其连接所述高压整流电阻R2、高压整流二极管D1和高压整流二极管D2的共同端点，

高压大功率IGBT G1，其连接所述熔断器F，

晶闸管试品T1，其连接所述高压大功率IGBT G1，

测量电阻R6，其并联所述高压大功率IGBT G1，

功率电阻R3，其一端连接所述晶闸管试品T1，另一端连接所述高压整流电阻R4、高压整流二极管D3和高压整流二极管D4的共同端点，

晶闸管试品T2，其连接所述功率电阻R3的另一端，

高压大功率IGBT G2，其一端连接所述晶闸管试品T2，另一端连接所述高压整流电阻R1、高压整流电阻R2和降压变压器Tr1的共同端点，

测量电阻R7，其并联所述高压大功率IGBT G2，

晶闸管触发模块S1，其一端连接所述晶闸管试品T1的门极，另一端连接所述晶闸管试品T2的门极，

IGBT触发模块S2，其一端连接所述高压大功率IGBT G1的栅极，另一端连接所述高压大功率IGBT G2的栅极，

晶闸管漏电流测量模块，其分别连接测量电阻R6的两侧以及测量电阻R7的两侧，

升压部分，其包括，

工频电源AC2，

调压器Vr2，其连接所述工频电源AC2，

升压变压器Tr2，其连接所述调压器Vr2；

高压整流部分，其连接所述升压部分，所述高压整流部分包括，

高压整流二极管D4，其串联所述升压变压器Tr2，

高压整流二极管D3，其串联高压整流电阻R5后并联所述高压整流二极管D4及所述升压变压器Tr2，

高压整流电阻R4，其并联所述高压整流二极管D4及所述升压变压器Tr2，所述IGBT触发模块S2包括电压比较器、IGBT驱动芯片及外围电路，电压比较器输入工频正弦信号，并与零电位进行比较，生成占空比为50％的方波信号，传输到IGBT驱动芯片生成占空比为50％的控制IGBT导通和关断的方波IGBT驱动信号，在IGBT G1与G2阻断状态下，由升压部分及高压整流部分提供的高电压与经过测量电阻R6和R7所产生的电流小于晶闸管的维持电流，高压整流电阻R2的阻值大于功率电阻R3的阻值，并且小于试品晶闸管、IGBT及二极管D2在阻断状态下的等效阻值；高压整流电阻R4的阻值小于二极管D4反向阻断等效阻值，功率电阻R3采用风冷或水冷装置。

2.根据权利要求1所述的一种模拟换流阀长期运行工况的晶闸管电热联合老化实验系统，其特征在于，在工频的前半周期，高压大功率IGBT G1、高压大功率G2及晶闸管试品T1、晶闸管试品T2均导通，工频交流源AC1经调压器Vr1、降压变压器Tr1、所述低压整流部分及功率电阻R3向晶闸管试品T1及晶闸管试品T2提供幅值可调的工频正向正弦半波通态电流。

3.根据权利要求1所述的一种模拟换流阀长期运行工况的晶闸管电热联合老化实验系统，其特征在于，在工频的后半周期，IGBT触发模块S2控制高压大功率IGBT G1、高压大功率IGBT G2关断，关断晶闸管试品T1及晶闸管试品T2，工频交流源AC2经调压器Vr2、升压变压器Tr2和所述高压整流部分向晶闸管试品T1及晶闸管试品T2提供幅值可调的工频正弦半波电压，其中晶闸管试品T1承受正压，晶闸管试品T2承受反压。

4.根据权利要求1所述的一种模拟换流阀长期运行工况的晶闸管电热联合老化实验系统，其特征在于，测量电阻R6、测量电阻R7的阻值大于高压整流回路输出的电压峰值除以晶闸管试品的维持电流。