[发明专利]一种多孔钨结构的晶体制备装置及氮化铝晶体制备方法在审
| 申请号： | 202111281070.5 | 申请日： | 2021-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN113981539A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 武红磊;李文良;金雷;覃佐燕 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B23/00 |
| 代理公司： | 深圳尚业知识产权代理事务所(普通合伙) 44503 | 代理人： | 王利彬 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 结构 晶体 制备 装置 氮化 方法 | ||
1.一种多孔钨结构的晶体制备装置，其特征在于，包括：坩埚盖、坩埚、锥形台、隔气环和多孔钨圆筒；
其中，所述多孔钨筒放置在所述坩埚内并与所述坩埚同心，所述多孔钨简的外壁与所述坩埚的内壁围成的空间用于放置氮化铝粉；
所述隔气环置于所述多孔钨筒上，用于覆盖所述多孔钨筒的外壁与所述坩埚的内壁围成的空间；
所述锥形台置于所述隔气环上，所述坩埚盖放置在所述坩埚上，并在所述锥形台的上方粘贴氮化铝籽晶，以在加热状态下使氮化铝籽晶生长为氮化铝晶体。
2.根据权利要求1所述的晶体制备装置，其特征在于，所述隔气环的外径与所述坩埚的内径相同，所述隔气环的内径与所述多孔钨圆筒的内径相同。
3.根据权利要求1所述的晶体制备装置，其特征在于，所述多孔钨圆筒的壁厚为2mm～6mm。
4.根据权利要求1所述的晶体制备装置，其特征在于，所述多孔钨圆筒的内径为10mm～50mm。
5.根据权利要求1所述的晶体制备装置，其特征在于，所述多孔钨的纯度大于99.9％。
6.根据权利要求1所述的晶体制备装置，其特征在于，所述多孔钨的真孔隙率为30％～60％。
7.根据权利要求1所述的晶体制备装置，其特征在于，所述多孔钨的气孔率为10ppi～40ppi。
8.根据权利要求1所述的晶体制备装置，其特征在于，所述晶体制备装置应用于2-4英寸物理气相传输法氮化铝单晶生长。
9.根据权利要求1所述的晶体制备装置，其特征在于，所述多孔钨为圆筒形状。
10.一种氮化铝晶体的制备方法，其特征在于，将氮化铝籽晶粘贴于权利要求1至9任一项所述的晶体制备装置中锥形台上方的中央，并加热至2000～2500摄氏度，生长时间至少为40小时。
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