[发明专利]基于反应离子刻蚀的柔性可拉伸金膜电极及其制备方法

权利要求书

1.一种基于反应离子刻蚀的柔性可拉伸金膜电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在经过反应离子刻蚀工艺处理后的高分子柔性基底的表面磁控溅射一层金薄膜；其中，所述金薄膜的厚度为10-40纳米，所述金薄膜具有微米和/或纳米尺度的裂纹结构。

2.根据权利要求1所述的一种基于反应离子刻蚀的柔性可拉伸金膜电极的制备方法，其特征在于，所述高分子柔性基底为SEBS高分子基底。

3.根据权利要求1所述的一种基于反应离子刻蚀的柔性可拉伸金膜电极的制备方法，其特征在于，所述裂纹结构为琐碎的岛状。

4.根据权利要求2所述的一种基于反应离子刻蚀的柔性可拉伸金膜电极的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

步骤1：将SEBS溶液旋涂在基片上，静置至其挥发成膜，得到SEBS高分子基底；

步骤2：利用反应离子刻蚀工艺对SEBS高分子基底表面进行刻蚀；

步骤3：将金属掩膜版贴在经过刻蚀处理后的SEBS高分子基底的表面，并在其表面上磁控溅射一层金薄膜，所述金薄膜的厚度为10-40纳米，所述金薄膜具有微米和/或纳米尺度的裂纹结构，且所述裂纹结构为琐碎的岛状；

步骤4：移除金属掩膜版，得到基于反应离子刻蚀处理工艺的高度可拉伸柔性金膜电极。

5.根据权利要求4所述的一种基于反应离子刻蚀的柔性可拉伸金膜电极的制备方法，其特征在于，步骤2中，反应离子刻蚀的工艺参数：Ar气体流量为10-15ccm；CF4气体流量为30-40ccm、气压为10-15Pa；功率参数为120-150W，刻蚀时间为80-100秒。

6.根据权利要求5所述的一种基于反应离子刻蚀的柔性可拉伸金膜电极的制备方法，其特征在于，Ar气体流量为10ccm；CF4气体流量为30ccm、气压为13.3Pa；功率参数为150W，刻蚀时间为90秒。

7.根据权利要求4所述的一种基于反应离子刻蚀的柔性可拉伸金膜电极的制备方法，其特征在于，步骤3中，磁控溅射的参数为：溅射气压3.5-4.0Pa，溅射时间8-15秒，溅射功率130-160W。

8.根据权利要求7所述的一种基于反应离子刻蚀的柔性可拉伸金膜电极的制备方法，其特征在于，磁控溅射的参数为：溅射气压3.8Pa，溅射时间14秒，溅射功率150W。

9.一种基于反应离子刻蚀的柔性可拉伸金膜电极，其特征在于，其是采用权利要求1-8任一权利要求的制备方法得到的。