[发明专利]冷却器和半导体装置

权利要求书

1.一种冷却器，其中，

该冷却器包括：

顶板，其在一个面形成有散热面；

底板，其与所述顶板相对配置，厚度大于所述顶板的厚度；

多个散热片，其设于所述底板；以及

周壁部，其形成为沿着所述底板的外周缘而包围所述多个散热片的外周，

所述多个散热片和所述周壁部接合于所述顶板的所述散热面，利用由所述顶板、所述底板、所述多个散热片以及所述周壁部围起来的空间形成制冷剂的流路，

所述顶板侧的电位高于所述底板侧的电位。

2.根据权利要求1所述的冷却器，其中，

该冷却器还包括将所述多个散热片和所述周壁部接合于所述顶板的接合材料，

所述接合材料的电位高于所述底板侧的电位。

3.根据权利要求2所述的冷却器，其中，

所述接合材料遍及整个面地覆盖制冷剂的流路中的所述散热面。

4.根据权利要求2或3所述的冷却器，其中，

所述接合材料由片状的钎焊材料构成。

5.根据权利要求2～4中任一项所述的冷却器，其中，

所述底板侧与所述接合材料之间的电位差为50mV以上。

6.根据权利要求2～5中任一项所述的冷却器，其中，

所述底板的母材暴露在制冷剂的流路中。

7.根据权利要求2～6中任一项所述的冷却器，其中，

所述接合材料和所述底板的母材以铝为主要成分，

相比于所述底板的母材，所述接合材料的硅的比率较高，而镁的比率较低。

8.根据权利要求2～7中任一项所述的冷却器，其中，

在所述接合材料的组成中，以铝为主要成分，至少按照硅为7.5％以上、锌为0.25％以下的比率构成。

9.根据权利要求8所述的冷却器，其中，

在所述底板的母材的组成中，以铝为主要成分，至少按照铜为2.0％以下的比率构成。

10.根据权利要求2～9中任一项所述的冷却器，其中，

在所述底板的上表面形成有第1腐蚀孔。

11.根据权利要求10所述的冷却器，其中，

在所述顶板的所述散热面形成有贯穿了所述接合材料的第2腐蚀孔，

所述第2腐蚀孔小于所述第1腐蚀孔。

12.根据权利要求2～11中任一项所述的冷却器，其中，

所述接合材料的厚度为50μm以上且500μm以下。

13.根据权利要求2～12中任一项所述的冷却器，其中，

所述顶板的厚度为0.25mm以上且5.0mm以下。

14.根据权利要求2～13中任一项所述的冷却器，其中，

所述底板的厚度为2.0mm以上且10.0mm以下。

15.根据权利要求2～14中任一项所述的冷却器，其中，

所述顶板的母材和所述底板的母材由组成不同的材料形成，所述顶板的母材的电位高于所述底板的母材的电位。

16.一种半导体装置，其中，

该半导体装置包括：

权利要求2～15中任一项所述的冷却器；以及

半导体元件，其经由绝缘基板配置于所述顶板的另一面，

所述多个散热片配置于所述半导体元件的正下方。

17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，

所述底板具有制冷剂的导入口和排出口，

所述导入口和所述排出口以隔着所述多个散热片相对的方式配置，

所述接合材料的与所述导入口和/或所述排出口相对的部分的厚度大于该部分的周围的厚度。